Texas Instruments
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 72A (Ta), 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.3 mOhm @ 75A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 160W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3025pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 34nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 系列 | CSD18533KCS |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 6.9 mOhms |
| 功率耗散 | 160 W |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 商品名 | NexFET |
| 正向跨导 - 闵 | 150 S |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 上升时间 | 4.8 ns |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 28 nC |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :100A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.005ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.9V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -55 to 150 |
| Package | Pins | TO-220 (KCS) | 3 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 50 | TUBE |
| QGD Typ | 3.9 |
| ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC | |
| VDS | 60 |
| New Flag | |
| Functional Diagram | fbd_slps362c.gif |
| VGS | 20 |
| ID, Package limited | 100 |
| VGSTH Typ | 1.9 |
| Rds(on) Max at VGS=45V | 9 |
| Reference Design | Y |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 6.3 |
| Logic Level | Yes |
| 包装 | TO-220 |
| Datasheet | SLPS362C |
| RDS(on) Typ at VGS=45V | 6.9 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current | 293 |
| Rating | Catalog |
| 配置 | Single |
| TI Design | Y |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 118 |
| QG Typ | 28 |
| RDS(on) Typ at VGS=25V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
