Texas Instruments
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | SON EP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 125 |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 封装 | Tape and Reel |
| 包装宽度 | 3.4(Max) |
| PCB | 8 |
| 包装长度 | 3.4(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SON-EP (3.3x3.3) |
| FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 功率 - 最大 | 6W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 518pF @ 15V |
| 其他名称 | 296-29695-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 3.2nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-LDFN Exposed Pad |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS compliant by exemption |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 15 A |
| 封装/外壳 | SON-8 |
| 下降时间 | 1.3 ns, 2.4 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | NexFET |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 48 S / 26 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 7.4 ns, 11.2 ns |
| 源极击穿电压 | 2.1 V, 1.2 V |
| 系列 | CSD87331Q3D |
| RDS（ON） | 18 mOhms |
| 功率耗散 | 6 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 4.5 ns, 4.7 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅极电荷Qg | 2.7 nC, 6.4 nC |
| 包装类型 | SON EP |
| 工作温度（最大） | 125C |
| 表壳厚度 | 1.5(Max) mm |
| 弧度硬化 | No |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -55 to 150 |
| Package | Pins | LSON-CLIP (DQZ) | 8 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 2500 | LARGE T&R |
| ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC | 15 |
| New Flag | |
| Functional Diagram | alt_slps283a.gif |
| 包装 | SON3x3 PowerBlock |
| 工作温度范围 | -55 to 150 |
| VDS | 30 |
| Datasheet | SLPS283A |
| Reference Design | Y |
| TI Design | Y |
| Ploss Current | 10 |
| Power Loss | 1.3 |
| VGS | 10 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 系列 | NexFET™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 518pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.2nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-LDFN Exposed Pad |
| 功率 - 最大值 | 6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 3.4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 432 pF@ 15 V，926 pF@ 15 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.5mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 5.5 mΩ，18 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 6 W |
| 最大栅源电压 | 8 V |
| 宽度 | 3.4mm |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1.5mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 3.4 ns，3.8 ns |
| 典型关断延迟时间 | 7.4 ns, 11.2 ns |
| 封装类型 | SON |
| 最大连续漏极电流 | 45 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 串行 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V，6.4 nC @ 4.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V, 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Qg - Gate Charge | 2.7 nC, 6.4 nC |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 15 A |
| 长度 | 3.3 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 18 mOhms, 5.5 mOhms |
| 身高 | 1.5 mm |
| 典型导通延迟时间 | 3.4 ns, 3.8 ns |
| Pd - Power Dissipation | 6 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
