Texas Instruments
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 34A (Ta), 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.65V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | 8-VSON (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.4 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7020pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 39nC @ 4.5V |
| 其他名称 | 296-35726-1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 系列 | CSD17556Q5B |
| RDS（ON） | 1.5 mOhms |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 商品名 | NexFET |
| 正向跨导 - 闵 | 197 S |
| 栅极电荷Qg | 30 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 上升时间 | 26 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 12 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 34A (Ta), 100A (Tc) |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -55 to 150 |
| Package | Pins | VSON-CLIP (DNK) | 8 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 2500 | LARGE T&R |
| QGD Typ | 6.9 |
| ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC | 34 |
| VDS | 30 |
| New Flag | |
| Functional Diagram | fbd_slps392b.gif |
| VGS | 20 |
| ID, Package limited | 100 |
| VGSTH Typ | 1.4 |
| Rds(on) Max at VGS=45V | 1.8 |
| Reference Design | |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.4 |
| Logic Level | Yes |
| 包装 | SON5x6 |
| Datasheet | SLPS392B |
| RDS(on) Typ at VGS=45V | 1.5 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current | 400 |
| Rating | Catalog |
| TI Design | |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 215 |
| QG Typ | 28.5 |
| RDS(on) Typ at VGS=25V | |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.1mm |
| 典型输入电容值@Vds | 5400 pF @ 15 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 1.8 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 1.65V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 3.1 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 5.1mm |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 1.05mm |
| 最小栅阈值电压 | 1.15V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns |
| 典型关断延迟时间 | 27 ns |
| 封装类型 | VSON |
| 最大连续漏极电流 | 215 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.4 V |
| Qg - Gate Charge | 28.5 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| 长度 | 6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.8 mOhms |
| 身高 | 1 mm |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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