Texas Instruments
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | * |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.1A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 0402 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 109 mOhm @ 500mA, 8A |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | 3-XDFN |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 195pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1350pC @ 4.5V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 12 V |
| 连续漏极电流 | 3.1 A |
| 系列 | CSD17381F4 |
| RDS（ON） | 160 mOhms |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 商品名 | NexFET |
| 正向跨导 - 闵 | 4.8 S |
| 栅极电荷Qg | 1040 pC |
| 典型关闭延迟时间 | 10.8 ns |
| 上升时间 | 1.4 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 栅源电压（最大值） | 12 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 引脚数 | 3 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.1A (Ta) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -55 to 150 |
| Package | Pins | PICOSTAR (YJC) | 3 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 3000 | LARGE T&R |
| QGD Typ | 0.133 |
| ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC | 3.1 |
| VDS | 30 |
| New Flag | |
| Functional Diagram | fbd_slps411d.gif |
| VGS | 12 |
| ID, Package limited | |
| VGSTH Typ | 0.85 |
| Rds(on) Max at VGS=45V | 117 |
| Reference Design | |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 109 |
| Logic Level | Yes |
| 包装 | LGA 1.0 x 0.6mm |
| Datasheet | SLPS411D |
| RDS(on) Typ at VGS=45V | 90 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current | 10 |
| Rating | Catalog |
| TI Design | |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | |
| QG Typ | 1.04 |
| RDS(on) Typ at VGS=25V | 110 |
| 高度 | 0.35mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 1mm |
| 典型输入电容值@Vds | 150 pF @ 15 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大栅源电压 | 12 V |
| 宽度 | 0.6mm |
| 尺寸 | 1 x 0.6 x 0.35mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 3.4 ns |
| 典型关断延迟时间 | 10.8 ns |
| 封装类型 | PICOSTAR |
| 最大连续漏极电流 | 3.1 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1040 pC @ 4.5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 850 mV |
| Qg - Gate Charge | 1.04 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 3.1 A |
| 长度 | 1 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 117 mOhms |
| 身高 | 0.35 mm |
| 典型导通延迟时间 | 3.4 ns |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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