规格书 |
BQ4017(Y) |
文档 |
Multiple Devices 04/Jun/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
格式 - 记忆 | RAM |
Memory 型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
内存大小 | 16M (2M x 8) |
速度 | 70ns |
接口 | Parallel (Byte-wide) |
- 电源电压 | 4.5 V ~ 5.5 V |
操作温度 | 0°C ~ 70°C |
包/盒 | 36-DIP Module (0.61, 15.49mm) |
供应商器件封装 | 36-DIP Module (18.42x52.96) |
包装材料 | Tray |
包装 | 36DIP Module |
类型 | NVSRAM |
总线类型 | Parallel |
密度 | 16 Mb |
组织 | 2Mx8 |
数据总线宽度 | 8 Bit |
工作电源电压 | 5 V |
工作温度 | 0 to 70 °C |
标准包装 | Trays |
封装 | Tray |
格式 - 存储器 | RAM |
供应商设备封装 | 36-DIP Module (18.42x52.96) |
内存类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
存储容量 | 16M (2M x 8) |
电压 - 电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
封装/外壳 | 36-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
接口 | Parallel |
速度 | 70ns |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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