1. BQ4011MA-100
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厂商型号

BQ4011MA-100 

产品描述

NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin DIP Module

内部编号

136-BQ4011MA-100

生产厂商

texas instruments

TI

#1

数量:592
10+¥162.64
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:288
1+¥286.348
25+¥214.83
100+¥202.356
250+¥200.97
500+¥199.584
最小起订金额:¥6000
英国伦敦
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#3

数量:329
1+¥340.518
25+¥247.05
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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BQ4011MA-100产品详细规格

规格书 BQ4011MA-100 datasheet 规格书
BQ4011MA-100 datasheet 规格书
BQ4011(Y,LY)
文档 Multiple Devices 04/Jun/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 14
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小 256K (32K x 8)
速度 100ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 4.75 V ~ 5.5 V
操作温度 0°C ~ 70°C
包/盒 28-DIP Module (0.61, 15.49mm)
供应商器件封装 28-DIP Module (18.42x37.72)
包装材料 Tray
包装 28DIP Module
类型 NVSRAM
总线类型 Parallel
密度 256 Kb
组织 32Kx8
数据总线宽度 8 Bit
工作电源电压 5 V
工作温度 0 to 70 °C
标准包装 Trays
安装 Through Hole
包装宽度 18.42
PCB 28
筛选等级 Commercial
典型工作电源电压 5
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 256K
最低工作温度 0
供应商封装形式 DIP Module
标准包装名称 DIP Module
最高工作温度 70
数据总线宽度 8
接口类型 Parallel
包装长度 37.72
最低工作电源电压 4.75
引脚数 28
最大工作电流 50
包装高度 9.4
最大随机存取时间 100
最大工作电源电压 5.5
铅形状 Through Hole
封装 Tray
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 28-DIP Module (18.42x37.72)
内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
存储容量 256K (32K x 8)
电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V
封装/外壳 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
接口 Parallel
速度 100ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 37.72 x 18.42 x 9.4mm
身高 9.4mm
长度 37.72mm
最大工作电源电压 5.5 V
最高工作温度 +70 °C
最大随机存取时间 100ns
最低工作电源电压 4.75 V
最低工作温度 0 °C
安装类型 Through Hole
组织 32K x 8 bit
包装类型 DIP
宽度 18.42mm
访问时间(最大) 100 ns
工作温度范围 0C to 70C
字长 8 b
工作温度分类 Commercial
电源电流 50 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 5 V
工作电源电压(最小值) 4.75 V
工作电源电压(最大值) 5.5 V
删除 Compliant

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