规格书 |
BQ4011(Y,LY) |
文档 |
Multiple Devices 04/Jun/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 14 |
格式 - 记忆 | RAM |
Memory 型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
内存大小 | 256K (32K x 8) |
速度 | 100ns |
接口 | Parallel (Byte-wide) |
- 电源电压 | 4.75 V ~ 5.5 V |
操作温度 | 0°C ~ 70°C |
包/盒 | 28-DIP Module (0.61, 15.49mm) |
供应商器件封装 | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
包装材料 | Tray |
包装 | 28DIP Module |
类型 | NVSRAM |
总线类型 | Parallel |
密度 | 256 Kb |
组织 | 32Kx8 |
数据总线宽度 | 8 Bit |
工作电源电压 | 5 V |
工作温度 | 0 to 70 °C |
标准包装 | Trays |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 18.42 |
PCB | 28 |
筛选等级 | Commercial |
典型工作电源电压 | 5 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
密度 | 256K |
最低工作温度 | 0 |
供应商封装形式 | DIP Module |
标准包装名称 | DIP Module |
最高工作温度 | 70 |
数据总线宽度 | 8 |
接口类型 | Parallel |
包装长度 | 37.72 |
最低工作电源电压 | 4.75 |
引脚数 | 28 |
最大工作电流 | 50 |
包装高度 | 9.4 |
最大随机存取时间 | 100 |
最大工作电源电压 | 5.5 |
铅形状 | Through Hole |
封装 | Tray |
格式 - 存储器 | RAM |
供应商设备封装 | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
内存类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
存储容量 | 256K (32K x 8) |
电压 - 电源 | 4.75 V ~ 5.5 V |
封装/外壳 | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
接口 | Parallel |
速度 | 100ns |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
外形尺寸 | 37.72 x 18.42 x 9.4mm |
身高 | 9.4mm |
长度 | 37.72mm |
最大工作电源电压 | 5.5 V |
最高工作温度 | +70 °C |
最大随机存取时间 | 100ns |
最低工作电源电压 | 4.75 V |
最低工作温度 | 0 °C |
安装类型 | Through Hole |
组织 | 32K x 8 bit |
包装类型 | DIP |
宽度 | 18.42mm |
访问时间(最大) | 100 ns |
工作温度范围 | 0C to 70C |
字长 | 8 b |
工作温度分类 | Commercial |
电源电流 | 50 mA |
弧度硬化 | No |
工作电源电压(典型值) | 5 V |
工作电源电压(最小值) | 4.75 V |
工作电源电压(最大值) | 5.5 V |
删除 | Compliant |
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