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Thumbnail ZXTN2005ZTA Thumbnail ZXTN2005ZTA Thumbnail ZXTN2005ZTA
厂商型号:

ZXTN2005ZTA

芯天下内部编号:
110-ZXTN2005ZTA
生产厂商:

diodes, inc

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4SOT-89
类型 NPN
引脚数 4
最大集电极发射极电压 25 V
集电极最大直流电流 5.5 A
最小直流电流增益 300@10mA@1V|300@1A@1V|200@7A@1V|40@20A@1V
最大工作频率 150(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.035@10mA@500mA|0.045@100mA@1A|0.07@10mA@1A|0.13@10mA@2A|0.2@150mA@6.5A V
最大集电极基极电压 60 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 2100 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 5.5
Maximum Transition Frequency 150(Typ)
Package Width 2.6(Max)
PCB 3
最大功率耗散 2100
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-89
标准包装名称 SOT-89
最高工作温度 150
Package Length 4.6(Max)
最大集电极发射极电压 25
Package Height 1.6(Max)
最大基地发射极电压 7
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Flat
单位包 1000
最小起订量 1000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5.5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 150MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 200mV @ 150mA, 6.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 SOT-89-3
功率 - 最大 2.1W
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 300 @ 1A, 1V
其他名称 ZXTN2005ZTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
增益带宽产品fT 150 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 7 V
直流集电极/增益hfe最小值 300 at 10 mA at 1 V, 300 at 1 A at 1 V, 200 at 7 A at 1 V, 40 at 20 A at 1 V
直流电流增益hFE最大值 300
集电极 - 发射极最大电压VCEO 25 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 60 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 5.5 A
频率 - 跃迁 150MHz
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 200mV @ 150mA, 6.5A
晶体管类型 NPN
PPAP Capable (Y/N) Y
电压 - 集射极击穿(最大值) 25V
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 300 @ 1A, 1V
Qualified to AECQ101 (Y/N) Y
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 5.5A
功率 - 最大值 2.1W
集电极 - 发射极饱和电压 200 mV
长度 4.6 mm (Max)
系列 ZXTN2005
身高 1.6 mm (Max)
Pd - Power Dissipation 2100 mW
品牌 Diodes Incorporated

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