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diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3E-Line |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 120 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2A@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.25mA@250mA|1.5@1mA@1A V |
| 最大集电极基极电压 | 140 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.8@1mA@1A |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.25mA@250mA|1.5@1mA@1A |
| Package Width | 2.41(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 120 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 140 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | E-Line |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 200 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1 |
| Package Length | 4.77(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 4.01(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 4000 |
| 最小起订量 | 4000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| 供应商设备封装 | E-Line (TO-92 compatible) |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 2000 @ 1A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 2000 at 50 mA at 5 V, 5000 at 500 mA at 5 V, 2000 at 1 A at 5 V, 500 at 2 A at 5 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.01 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 1 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 140 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1 A |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 140 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 120 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 发射极 - 基极电压 | 10 V |
| 工作温度范围 | -55C to 200C |
| 包装类型 | E-Line |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 2000 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.8 V |
| 弧度硬化 | No |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :120V |
| Transition Frequency ft | :150MHz |
| 功耗 | :1W |
| DC Collector Current | :1A |
| DC Current Gain hFE | :5000 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :200°C |
| Transistor Case Style | :E-Line |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Av Current Ic | :1A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :1V |
| 连续集电极电流Ic最大 | :1A |
| Current Ic Continuous a Max | :1A |
| Current Ic hFE | :1A |
| Device Marking | :ZTX605 |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Gain Bandwidth ft Min | :150MHz |
| Gain Bandwidth ft Typ | :150MHz |
| Hfe Min | :2000 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +200°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :1W |
| Voltage Vcbo | :140V |
| Weight (kg) | 0.000001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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