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diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3E-Line |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2A@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4mA@400mA|1@1mA@1A V |
| 最大集电极基极电压 | 100 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.8@1mA@1A |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4mA@400mA|1@1mA@1A |
| Package Width | 2.41(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | E-Line |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 200 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1 |
| Package Length | 4.77(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 4.01(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 |
| 封装 | Box |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 1mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | E-Line (TO-92 compatible) |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | E-Line-3, Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 2000 @ 1A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.01 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 1 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1 A |
| 系列 | ZTX60 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 直流电流增益hFE最大值 | 2000 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 长度 | 4.77 mm |
| 身高 | 4.01 mm |
| P（ TOT ） | 1 W |
| I（C ） | 1 A |
| V（ CEO ） | 80 V |
| 极化 | NPN |
| 汽车 | NO |
| 电流增益 | 2000 |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| V（ CBO ） | 100 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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