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Thumbnail ZTX601BSTZ Thumbnail ZTX601BSTZ
厂商型号:

ZTX601BSTZ

芯天下内部编号:
110-ZTX601BSTZ
生产厂商:

diodes, inc

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3E-Line
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 160 V
峰值直流集电极电流 1 A
最小直流电流增益 5000@50mA@10V|10000@500mA@10V|5000@1A@10V
最大集电极发射极饱和电压 1.1@5mA@0.5A|1.2@10mA@1A V
最大集电极基极电压 180 V
安装 Through Hole
标准包装 Ammo Pack
P( TOT ) 1W
匹配代码 ZTX601BSTZ
I(C ) 1A
V( CEO ) 160V
单位包 2000
标准的提前期 16 weeks
最小起订量 2000
极化 NPN
无铅Defin RoHS-conform
电流增益 2000
V( CBO ) 180V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.2V @ 10mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
供应商设备封装 E-Line (TO-92 compatible)
封装 Tape & Box (TB)
功率 - 最大 1W
封装/外壳 E-Line-3, Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 10000 @ 500mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 10 V
直流集电极/增益hfe最小值 5000 at 50 mA at 10 V, 10000 at 500 mA at 10 V, 5000 at 1 A at 10 V
集电极最大直流电流 1 A
最大集电极截止电流 0.01 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 160 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 1 W
集电极 - 基极电压VCBO 180 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1 A

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