diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SM8 |
| 配置 | Dual Dual Collector |
| 类型 | NPN|PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1.75 A |
| 最小直流电流增益 | 5000@10mA@5V@NPN|5000@500mA@5V@NPN|3500@2A@5V@NPN|500@4A@5V@NPN|2000@10mA@5V@PNP|2000@500mA@5V@PNP|1500@2A@5V@PNP|1000@4A@5V@PNP |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.95@0.5mA@0.5A@NPN|1.28@2mA@1.75A@NPN|1@0.5mA@0.5A@PNP|1.28@2mA@1.75A@PNP V |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.85@2mA@1.75A@NPN|1.9@2mA@1.75A@PNP |
| 供应商封装形式 | SM8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| Package Height | 1.6(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 最大基地发射极电压 | 10 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1.75 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.95@0.5mA@0.5A|1.28@2mA@1.75A@NP... |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 3.7(Max) |
| PCB | 8 |
| Package Length | 6.7(Max) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 8 |
| 最大功率耗散 | 2750 |
| 单位包 | 1000 |
| 最小起订量 | 1000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.75A |
| 晶体管类型 | NPN, PNP Darlington (Dual) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 140MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.28V @ 2mA, 1.75A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | SM8 |
| 功率 - 最大 | 2.75W |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V |
| 其他名称 | ZDT6702TR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V |
| 最大功率耗散 | 2.75 W |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 500 at 4 A, 1000 at 4 A |
| 直流电流增益hFE最大值 | 5000 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极最大直流电流 | 1.75 A |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1.75 A |
| 集电极电流（DC ） | 1.75 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 10 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SM8 |
| 极性 | NPN/PNP |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.85 V |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 - 跃迁 | 140MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.28V @ 2mA, 1.75A |
| 晶体管类型 | NPN, PNP Darlington (Dual) |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V |
| 功率 - 最大值 | 2.75W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.75A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V |
| 最大集电极截止电流 | 10 nA |
| 最大工作频率 | 140 MHz |
| 长度 | 6.7 mm |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 系列 | ZDT6702 |
| 身高 | 1.6 mm |
| Pd - Power Dissipation | 2.25 W |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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