diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SOT-363 |
| 类型 | NPN|PNP |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 65@NPN|60@PNP V |
| 集电极最大直流电流 | 0.5@NPN|0.6@PNP A |
| 最小直流电流增益 | 250@10mA@1V@NPN|100@100mA@1V@NPN|100@100uA@10V@PNP|100@1mA@10V@PNP|100@10mA@10V@PNP|100@150mA@10V@PNP|50@500mA@10V@PNP |
| 最大工作频率 | 100(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@10mA@100mA@NPN|0.3@15mA@150mA@PNP|0.5@50mA@500mA@PNP V |
| 最大集电极基极电压 | 80@NPN|60@PNP V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.5@NPN|0.6@PNP |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
| Package Width | 1.35(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 80@NPN|60@PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 65@NPN|60@PNP |
| 供应商封装形式 | SOT-363 |
| 标准包装名称 | SOT-26 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 2.2(Max) |
| Package Height | 1(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6@NPN|5.5@PNP |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA, 600mA |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 65V, 60V |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | HBDM60V600WDICT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5.5 V, 6 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 50 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 60 V, + 65 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 60 V, + 80 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 600 mA, 500 mA |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA, 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 65V, 60V |
| 长度 | 2.2 mm |
| 系列 | HBDM60 |
| 身高 | 1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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