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Thumbnail FZT705TA Thumbnail FZT705TA
厂商型号:

FZT705TA

芯天下内部编号:
110-FZT705TA
生产厂商:

diodes, inc

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4SOT-223
配置 Single Dual Collector
类型 PNP
最大集电极发射极电压 120 V
峰值直流集电极电流 2 A
最小直流电流增益 3000@10mA@5V|3000@100mA@5V|3000@1A@5V|2000@2A@5V
最大集电极发射极饱和电压 1.3@1mA@1A|2.5@2mA@2A V
最大集电极基极电压 140 V
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.8@10mA@1A
最大集电极发射极饱和电压 1.3@1mA@1A|2.5@2mA@2A
Package Width 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 2000
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 4
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 140
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 2
Package Length 6.7(Max)
最大集电极发射极电压 120
Package Height 1.65(Max)
Maximum Emitter Base Voltage 10
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
P( TOT ) 2W
匹配代码 FZT705
I(C ) 2A
V( CEO ) 120V
单位包 1000
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 1000
极化 PNP
无铅Defin RoHS-conform
电流增益 3000
V( CBO ) 140V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 160MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2.5V @ 2mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 120V
供应商设备封装 SOT-223
功率 - 最大 2W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 3000 @ 1A, 5V
其他名称 FZT705TR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 10 V
直流集电极/增益hfe最小值 3000 at 10 mA at 5 V, 3000 at 100 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V
集电极最大直流电流 2 A
最大集电极截止电流 0.1 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 120 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 2 W
集电极 - 基极电压VCBO 140 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 2 A
集电极电流( DC)(最大值) 2 A
集电极 - 基极电压 140 V
集电极 - 发射极电压 120 V
发射极 - 基极电压 10 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
极性 PNP
元件数 1
工作温度分类 Military
基射极饱和电压(最大值) 1.8 V
弧度硬化 No
集电极 - 发射极饱和电压 1.3 V
直流电流增益 3000
集电极电流(DC ) 2 A

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