diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-223 |
| 配置 | Single Dual Collector |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 120 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1.5 A |
| 最小直流电流增益 | 2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2A@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.25mA@250mA|1.5@1mA@1A V |
| 最大集电极基极电压 | 140 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 4000 |
| 最小起订量 | 4000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.5A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 2000 @ 1A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.01 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 2 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 140 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1.5 A |
| 集电极电流（DC ） | 1.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 140 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 120 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 发射极 - 基极电压 | 10 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 2000 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.8 V |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 2000 @ 1A, 5V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 120V |
| 系列 | FZT605 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 直流电流增益hFE最大值 | 2000 |
| 身高 | 1.65 mm |
| 长度 | 6.7 mm |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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