diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-223 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 150 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 最小直流电流增益 | 50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V |
| 最大工作频率 | 300 MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.2@1mA@10mA|0.5@5mA@50mA V |
| 最大集电极基极电压 | 160 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 |
| Maximum Transition Frequency | 300 |
| 包装宽度 | 3.5 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 160 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| Maximum Operating Temperature | 150 |
| 包装长度 | 6.5 |
| 最大集电极发射极电压 | 150 |
| 包装高度 | 1.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 300MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 150V |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 10mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DZT5401DICT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 50 at 1 mA at 5 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 160 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.6 A |
| 集电极 - 基极电压 | 160 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 150 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 300 MHz |
| 功率耗散 | 1 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 50 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 300 MHz |
| 删除 | Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 0.6 A |
| 直流电流增益 | 50 |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| PPAP Capable (Y/N) | Y |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 150V |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 60 @ 10mA, 5V |
| Qualified to AECQ101 (Y/N) | Y |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 极性 | PNP |
| 标记 | K4M |
| Amplification | 60 ...240 |
| Collector-emitter voltage | 150 |
| Transit frequency | 100 |
| Collector current | 600 mA |
| Power dissipation | 1 |
| Housing type | SOT-223 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 500 mV |
| 系列 | DZT5401 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 身高 | 1.6 mm |
| 长度 | 6.5 mm |
| Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
| P（ TOT ） | 1 W |
| I（C ） | 0.5 A |
| 电流增益 | 50 |
| 汽车 | NO |
| 极化 | PNP |
| V（ CEO ） | 150 V |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| V（ CBO ） | 160 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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