所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SOT-963 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 | 100@10uA@5V|200@2mA@5V |
| 最大工作频率 | 170(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.125@0.5mA@10mA|0.3@5mA@100mA V |
| 最大集电极基极电压 | 50 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 170(Typ) |
| Package Width | 0.8 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 50 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 |
| 供应商封装形式 | SOT-963 |
| 标准包装名称 | SC-89 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 1 |
| Package Height | 0.45(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| 单位包 | 10000 |
| 最小起订量 | 10000 |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 170MHz |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 5mA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
| 供应商设备封装 | SOT-963 |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 200 @ 2mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DST847BDJ-7DICT |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 122 mV |
| 晶体管极性 | NPN |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 470 |
| 增益带宽产品fT | 170 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 100 mA |
| 集电极电流(DC ) | 0.1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 50 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 45 V |
| 发射极 - 基极电压 | 6 V |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-963 |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 170 MHz |
| 频率 - 跃迁 | 170MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA, 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA, 5V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
| 系列 | DST847 |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
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