diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SOT-563 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 20 V |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 220@1mA@2V|220@100mA@2V|220@500mA@2V|200@1A@2V|120@2A@2V |
| 最大工作频率 | 260(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.055@1mA@100mA|0.095@50mA@500mA|0.18@50mA@1A|0.175@100mA@1A|0.355@100mA@2A|0.35@200mA@2A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 600 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 260(Typ) |
| Package Width | 1.2 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 |
| 最大集电极发射极电压 | 20 |
| 供应商封装形式 | SOT-563 |
| 标准包装名称 | SOT-563 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 1.6 |
| Package Height | 0.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 6000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 260MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 350mV @ 200mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 功率 - 最大 | 600mW |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 1A, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DSS4220VDICT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 增益带宽产品fT | 260 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 220 at 1 mA at 2 V, 220 at 100 mA at 2 V, 220 at 500 mA at 2 V, 200 at 1 A at 2 V, 120 at 2 A at 2 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 220 at 1 mA at 2 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 20 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 20 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 20 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 260 MHz |
| 功率耗散 | 0.6 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-563 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 220 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 - 跃迁 | 260MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 350mV @ 200mA, 2A |
| 晶体管类型 | NPN |
| PPAP Capable (Y/N) | Y |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 1A, 2V |
| Qualified to AECQ101 (Y/N) | Y |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 功率 - 最大值 | 600mW |
| 系列 | DSS42 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Pd - Power Dissipation | 600 mW |
| 长度 | 1.6 mm |
| 身高 | 0.6 mm |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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