所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 6.1 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 2700 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 110@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-252 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 6.58 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 2.29 |
| 最大连续漏极电流 | 14 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 14A (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.7V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-252 |
| 其他名称 | DMP6180SK3-13DITR |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 110 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.7W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 984.7pF @ 30V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 17.1nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 14A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 140 mOhms |
| 系列 | DMP61 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Id - Continuous Drain Current | - 14 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.7 V |
| Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Qg - Gate Charge | 8.1 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| P( TOT ) | 2.7 W |
| Logic level | NO |
| V( DS ) | -60 V |
| 包装 | TO252 |
| I(D)at Tc=25°C | -14 A |
| Configuartion | P-CH |
| 汽车 | NO |
| RDS(on)at 10V | 110 mOhm |
| Q(克) | 17.1 nC |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| Fast bodydiode | NO |
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