Diodes Inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 0.6 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1220 |
| 最大漏源电压 | 50 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 8000@5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DFN |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 1 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 0.47 |
| 最大连续漏极电流 | 0.31 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| 系列 | * |
| 其他名称 | DMP58D0LFB-7DI |
| 标准包装 | 3,000 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 删除 | Compliant |
| 连续漏极电流 | 0.31 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 1.22 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | DFN |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 50 V |
| 弧度硬化 | No |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 供应商设备封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 Ohm @ 100mA, 5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 470mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 180mA (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 27pF @ 25V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 50 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2.1 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 下降时间 | 32.2 ns |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 P-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 180 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 18 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 201.8 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 470 mW |
| 上升时间 | 84.1 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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