所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOP |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A |
| RDS -于 | 40@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 13.7 ns |
| 典型上升时间 | 14 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 79.1 ns |
| 典型下降时间 | 35.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| Package Width | 4.1(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 40@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOP |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 5.3(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P( TOT ) | 2.5W |
| 匹配代码 | DMP2066LSS-13 |
| R( THJC ) | n.s.K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 11 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q(克) | n.s.nC |
| LLRDS (上) | 0.070Ohm |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| LLRDS (上)在 | 4.5V |
| 我(D ) | -6,5A |
| V( DS ) | -20V |
| 技术 | SMD |
| 的RDS(on ) at10V | 0.040Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.5A (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 40 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 820pF @ 15V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMP2066LSSDICT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 6.5 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS(ON) | 40 mOhms |
| 功率耗散 | 2500 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOP-8 |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压(最大值) | �12 V |
| 漏源导通电阻 | 0.04 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOP |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
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