Diodes Inc.
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±8 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 最大功率耗散 | 550 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 900@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 2.9 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 0.6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 0.55W |
| 匹配代码 | DMP2004K |
| 包装 | SOT23 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | P-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 0.6A |
| V（ DS ） | 20V |
| R（ DS上） | 1.1Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 600mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 900 mOhm @ 430mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 550mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 175pF @ 16V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMP2004KDICT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 0.6 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 900 mOhms at 4.5 V |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
