Diodes Inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 2 |
| PCB | 6 |
| 筛选等级 | Automotive |
| 最大功率耗散 | 2030 |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 16@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | UDFN EP |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 2 |
| 引脚数 | 6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 0.6 |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.1 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| 匹配代码 | DMP1022UFDE |
| 包装 | DFN2020-6 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 9 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | P-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | AEC-Q(101) |
| 我（D ） | 9.1A |
| V（ DS ） | 12V |
| R（ DS上） | 0.016Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.1A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 800mV @ 250µA |
| 封装/外壳 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 6-UDFN2020 (2x2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 660mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2953pF @ 4V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 42.6nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMP1022UFDE-7DICT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | + /- 8 V |
| 连续漏极电流 | - 11.2 A |
| 正向跨导 - 闵 | 12 S |
| RDS（ON） | 46 mOhms |
| 功率耗散 | 2.03 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 28.4 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 117 ns |
| 上升时间 | 28 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 93 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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