Diodes Inc
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| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 10000 |
| 最小起订量 | 10000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 510mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 3-X2-DFN0806 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 990 mOhm @ 100mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 27.6pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.5nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMN2990UFA-7BDICT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 0.51 A |
| 栅源电压（最大值） | �8 V |
| 功率耗散 | 0.4 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 引脚数 | 3 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
| 封装/外壳 | X2-DFN0806-3 |
| 下降时间 | 6.4 ns |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 180 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 510 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 990 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 系列 | DMN2990 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| 上升时间 | 3.3 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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