Diodes Inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 6-UDFN |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 660mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2453pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25.8nC @ 8V |
| 其他名称 | DMN2013UFDE-7DICT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 500 mV |
| Qg - Gate Charge | 25.8 nC |
| 下降时间 | 20.8 ns |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 10.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.4 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 66.4 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | DMN2013 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 660 mW |
| 上升时间 | 24.5 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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