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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

DMMT5551-7 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT MATCHED NPN

内部编号

110-DMMT5551-7

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

数量:3000
3000+¥0.9779
最小起订量:3000
美国费城
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DMMT5551-7产品详细规格

规格书 DMMT5551-7 datasheet 规格书
DMMT5551(S)
标准包装 3,000
晶体管类型 2 NPN (Dual) Matched Pair
集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大 300mW
频率转换 300MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-6
供应商器件封装 SOT-26
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
集电极最大直流电流 0.2
最小直流电流增益 80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-26
最低工作温度 -55
最大功率耗散 300
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 300
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 180
供应商封装形式 SOT-26
最大集电极发射极电压 160
类型 NPN
引脚数 6
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 2 NPN (Dual) Matched Pair
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 200mV @ 5mA, 50mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
供应商设备封装 SOT-26
功率 - 最大 300mW
封装/外壳 SOT-23-6
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 10mA, 5V
其他名称 DMMT5551DITR
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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