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数量:3000 |
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规格书 |
![]() DMMT5551(S) |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
集电极电流(Ic)(最大) | 200mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 160V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 200mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 80 @ 10mA, 5V |
功率 - 最大 | 300mW |
频率转换 | 300MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-23-6 |
供应商器件封装 | SOT-26 |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
集电极最大直流电流 | 0.2 |
最小直流电流增益 | 80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V |
欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-26 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 300 |
最大基地发射极电压 | 6 |
Maximum Transition Frequency | 300 |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 2 |
最大集电极基极电压 | 180 |
供应商封装形式 | SOT-26 |
最大集电极发射极电压 | 160 |
类型 | NPN |
引脚数 | 6 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 200mA |
晶体管类型 | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 300MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 200mV @ 5mA, 50mA |
标准包装 | 3,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 160V |
供应商设备封装 | SOT-26 |
功率 - 最大 | 300mW |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 80 @ 10mA, 5V |
其他名称 | DMMT5551DITR |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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