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Thumbnail BSN20-7 Thumbnail BSN20-7
厂商型号:

BSN20-7

芯天下内部编号:
110-BSN20-7
生产厂商:

Diodes Inc.

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
Package Width 1.3
PCB 3
最大功率耗散 600
最大漏源电压 50
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 1800@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 2.9
引脚数 3
通道模式 Enhancement
Package Height 1
最大连续漏极电流 0.5
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 500mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
供应商设备封装 SOT-23
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.8 Ohm @ 220mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 600mW
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 50V
输入电容(Ciss ) @ VDS 40pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 0.8nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BSN20-7DICT
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 500 mA
RDS(ON) 1.8 Ohms
功率耗散 600 mW
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-23
栅极电荷Qg 800 pC
典型关闭延迟时间 9.45 ns
上升时间 2.99 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 50 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 8.3 ns
栅源电压(最大值) �20 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Small Signal
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 50 V
弧度硬化 No
工厂包装数量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Qg - Gate Charge 800 pC
品牌 Diodes Incorporated
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 500 mA
Rds On - Drain-Source Resistance 1.8 Ohms
系列 BSN20
Pd - Power Dissipation 600 mW
技术 Si
P( TOT ) 0.6 W
包装 SOT23
汽车 NO
I(D)at Tc=25°C 0.5 A
Configuartion N-CH
RDS(on)at 10V 1300 mOhm
V( DS ) 50 V
Leadfree Defin RoHS-conform
Fast bodydiode NO

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