所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 600 |
| 最大漏源电压 | 50 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 1800@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 2.9 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 500mA (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.8 Ohm @ 220mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 600mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 40pF @ 10V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 0.8nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSN20-7DICT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 500 mA |
| RDS(ON) | 1.8 Ohms |
| 功率耗散 | 600 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 栅极电荷Qg | 800 pC |
| 典型关闭延迟时间 | 9.45 ns |
| 上升时间 | 2.99 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 8.3 ns |
| 栅源电压(最大值) | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 50 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Qg - Gate Charge | 800 pC |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 500 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.8 Ohms |
| 系列 | BSN20 |
| Pd - Power Dissipation | 600 mW |
| 技术 | Si |
| P( TOT ) | 0.6 W |
| 包装 | SOT23 |
| 汽车 | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.5 A |
| Configuartion | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 1300 mOhm |
| V( DS ) | 50 V |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| Fast bodydiode | NO |
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