厂商型号:

BAS116LP3-7

芯天下内部编号:
110-BAS116LP3-7
生产厂商:

Diodes Inc

microsemi
描述:
D
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
单位包 10000
最小起订量 10000
封装 Tape & Reel (TR)
电流 - Vr时反向漏电 10nA @ 75V
安装类型 Surface Mount
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.35V @ 150mA
标准包装 10,000
电压 - ( Vr)(最大) 85V
热阻 500°C/W Ja
电容@ Vr ,F 3pF @ 0V, 1MHz
供应商设备封装 2-X3-DFN0603
反向恢复时间(trr ) 3µs
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C
电流 - 平均整流(Io ) 215mA (DC)
封装/外壳 2-XFDFN
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型 Standard
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BAS116LP3-7DICT
RoHS RoHS Compliant
电流 - 平均整流 (Io) 215mA (DC)
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 85V
额定功率 (mW) 250
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) 1.35V @ 150mA
配置 Single
不同 Vr、F 时的电容 3pF @ 0V, 1MHz
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10nA @ 75V
工作温度 - 结温 -65°C ~ 150°C
反向恢复时间 (trr) 3µs
二极管类型 Standard
热阻 500°C/W Ja
最大二极管电容 3 pF
产品 General Purpose Diodes
If - Forward Current 215 mA
最大浪涌电流 4 A
工作温度范围 - 65 C to + 150 C
系列 BAS116
品牌 Diodes Incorporated
Pd - Power Dissipation 250 mW
峰值反向电压 85 V
安装风格 SMD/SMT
恢复时间 120 ns
Vf - Forward Voltage 1.15 V
Ir - Reverse Current 500 nA
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 X3-DFN0603-2
配置 Single
最高工作温度 + 150 C

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