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| 规格书 |
 DMP2070UCB6 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 70 mOhm @ 1A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 2.9nc @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 210pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 920mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-VFBGA, WLBGA |
| 供应商器件封装 | U-WLB1510-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | U-WLB1510-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 70 mOhm @ 1A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 920mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 210pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2.9nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-VFBGA, WLBGA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMP2070UCB6-7DICT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 系列 | DMP2070 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Id - Continuous Drain Current | - 2.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| 封装/外壳 | U-WLB1510-6 |
| 技术 | Si |
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