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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

DMN601K-7 

产品描述

MOSFET N-Channel

内部编号

110-DMN601K-7

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

数量:112114
1+¥3.9814
10+¥2.8499
100+¥1.6778
500+¥0.9497
1000+¥0.7281
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:3000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:1518
最小起订金额:¥₩600
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订购说明

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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

DMN601K-7产品详细规格

规格书 DMN601K-7 datasheet 规格书
DMN601K
文档 Bond Wire 3/May/2011
Green Encapsulate 15/May/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Encapsulate Change 15/May/2008
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 300mA
Rds(最大)@ ID,VGS 2 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 50pF @ 25V
功率 - 最大 350mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 350
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 2000@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 2.9
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 1
最大连续漏极电流 0.3
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 300mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 1mA
供应商设备封装 SOT-23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2 Ohm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 350mW
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 50pF @ 25V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 DMN601KDIDKR
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 0.3 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 2000 mOhms
功率耗散 350 mW
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 SOT-23-3
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 2 ohm
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Small Signal
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 60 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :300mA
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.6V
功耗 :350mW
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :800mA
工作温度范围 :-65°C to +150°C
端接类型 :SMD
晶体管类型 :Enhancement
Voltage Vds Typ :60V
Voltage Vgs Max :20V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.000008
Tariff No. 85412100

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