图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 DMN5/L06VK,VAK/010VAK |
| 文档 |
SOT-563 Package Top |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 50V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 280mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2 Ohm @ 50mA @ 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.2 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 最大漏源电压 | 50 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 2000@5V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-563 |
| 标准包装名称 | SOT-563 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 1.6 |
| 引脚数 | 6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 0.6 |
| 最大连续漏极电流 | 0.28 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 280mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 其他名称 | DMN5L06VAKDICT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 Ohm @ 50mA @ 5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 25V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.28 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2000 mOhms at 5 V |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-563-6 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 50V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2 Ohm @ 50mA @ 5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 280mA |
| ESD二极管Y/N | Y |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 栅极电压 (±V) | 20 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 280 mA |
| 长度 | 1.6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| 系列 | DMN5L06 |
| 身高 | 0.6 mm |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| 技术 | Si |
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