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厂商型号

DMG8880LK3-13 

产品描述

MOSFET N-Ch FET VDSS 20V VGSS 20V PD 1.68W

内部编号

110-DMG8880LK3-13

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

数量:2500
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DMG8880LK3-13产品详细规格

规格书 DMG8880LK3-13 datasheet 规格书
DMG8880LK3
DMG8880LK3-13 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11A
Rds(最大)@ ID,VGS 9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 27.6nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1289pF @ 15V
功率 - 最大 1.68W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)

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