图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 DMG1023UV |
| 文档 |
Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 产品更改通知 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.03A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 750 mOhm @ 430mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 0.62nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 59.76pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 530mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16842?mpart=DMG1023UV-7&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 最大门源电压 | ±6 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.2 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 530 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 750@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-563 |
| 标准包装名称 | SOT-563 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| 包装长度 | 1.6 |
| 引脚数 | 6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 0.6 |
| 最大连续漏极电流 | 1.03 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.03A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 750 mOhm @ 430mA, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 530mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 59.76pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.62nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMG1023UV-7DICT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | 6 V |
| 连续漏极电流 | 1.03 A |
| 正向跨导 - 闵 | 0.9 S |
| RDS（ON） | 500 mOhms |
| 功率耗散 | 530 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-563 |
| 栅极电荷Qg | 622.4 pC |
| 典型关闭延迟时间 | 28.4 ns |
| 上升时间 | 8.1 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 20.7 ns |
| 栅源电压（最大值） | �6 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-563 |
| 极性 | P |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 59.76pF @ 16V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 750 mOhm @ 430mA, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.62nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.03A |
| ESD二极管Y/N | Y |
| 功率 - 最大值 | 530mW |
| 栅极电压 (±V) | 6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| Qg - Gate Charge | 622.4 pC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 6 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 1.03 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| 系列 | DMG1023 |
| Pd - Power Dissipation | 530 mW |
| 技术 | Si |
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