图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 DMC2700UDM |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.34A, 1.14A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 1.12W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±6 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.6 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 1120 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 400@4.5V@N Channel|700@4.5V@P Cha... |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-26 |
| 标准包装名称 | SOT-26 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N|P |
| 包装长度 | 3 |
| 引脚数 | 6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.1 |
| 最大连续漏极电流 | 1.34@N Channel|1.14@P Channel |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.34A, 1.14A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-26 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 1.12W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 60.67pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.74nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMC2700UDM-7CT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | DMC2700 |
| 晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Si |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Id - Continuous Drain Current | 1.34 A, - 1.14 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Pd - Power Dissipation | 1.12 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Qg - Gate Charge | 736.6 pC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V, 20 V |
| 通道数 | 2 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 700 mOhms, 1.3 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 6 V |
| 封装/外壳 | SOT-26-6 |
| 配置 | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
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