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厂商型号:

DMB53D0UDW-7

芯天下内部编号:
110-DMB53D0UDW-7
生产厂商:

diodes, inc

microsemi
描述:
N
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 6SOT-363
引脚数 6
工作温度 -55 to 150 °C
家庭 DMB53D0UDW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
标准包装名称 SOT-26
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装高度 1(Max)
封装 Tape and Reel
PCB 6
包装宽度 1.35(Max)
供应商封装形式 SOT-363
包装长度 2.2(Max)
最低工作温度 -55
铅形状 Gull-wing
单位包 3000
最小起订量 6000
晶体管类型 NPN, N-Channel
安装类型 Surface Mount
电压 - 额定 45V NPN, 50V N-Channel
供应商设备封装 SOT-363
应用范围 General Purpose
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
额定电流 100mA PNP, 160mA N-Channel
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 DMB53D0UDWDICT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 160 mA
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 5 Ohms
功率耗散 250 mW
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 50 V
RoHS RoHS Compliant
晶体管类型 NPN, N-Channel
额定电流 100mA PNP, 160mA N-Channel
应用 General Purpose
电压 - 额定 45V NPN, 50V N-Channel
产品 MOSFET Small Signal
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Id - Continuous Drain Current 160 mA
通道模式 Enhancement
技术 Si
品牌 Diodes Incorporated
Pd - Power Dissipation 250 mW
通道数 1 Channel
系列 DMB53D
Rds On - Drain-Source Resistance 5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V

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