diodes, inc
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| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SOT-363 |
| 配置 | Dual Anti Parallel |
| 标称齐纳电压 | 27 V |
| 齐纳电压容差 | 7 % |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 0.1 uA |
| 典型电压温度系数 | 23.35 mV/°C |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 100nA @ 18.9V |
| 电压 - 齐纳（额定值）（Vz ） | 27V |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 900mV @ 10mA |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 阻抗（最大值）（Zzt ） | 80 Ohm |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 容差 | ±6% |
| 其他名称 | BZX84C27S-FDITR |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Zener Diodes |
| 齐纳电流 | 2 mA |
| 齐纳电压 | 27 V |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 电压温度系数 | 23.35 mV/C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 电压容差 | 5 % |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | SOT-363 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 容差 | ±6% |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 100nA @ 18.9V |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 27V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 Ohm |
| Ir - Reverse Current | 100 nA |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 测试电流 | 2 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Zz - Zener Impedance | 80 Ohms |
| 长度 | 2.2 mm |
| 系列 | BZX84C27 |
| 身高 | 1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Vz - Zener Voltage | 27 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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