MagnaChip Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 高度 | 16.13mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.71mm |
| 典型输入电容值@Vds | 890 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 360 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 31 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 4.93mm |
| 尺寸 | 10.71 x 4.93 x 16.13mm |
| 正向二极管电压 | 1.4V |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns |
| 典型关断延迟时间 | 80 ns |
| 封装类型 | TO-220F |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |
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