图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 1 |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 25mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 800mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 300nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 频率转换 | 450MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-78-6 Metal Can |
| 供应商器件封装 | TO-78-6 |
| 包装材料 | Tray |
| 动态目录 | NPN Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-transistor-arrays/15434?mpart=MAT01AHZ&vendor=505&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
| 包装 | 6TO-78 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.025 A |
| 最小直流电流增益 | 500@10uA@15V |
| 最大工作频率 | 450(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.2@0.1mA@1mA|0.8(Typ)@1mA@10mA V |
| 工作温度 | -55 to 125 °C |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 0.025 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 125 |
| 标准包装名称 | TO-78 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 500 |
| Maximum Transition Frequency | 450(Typ) |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 45 |
| 供应商封装形式 | TO-78 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 25mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 450MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 800mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 300nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | TO-78-6 |
| 封装 | Tray |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | TO-78-6 Metal Can |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 外形尺寸 | 4.7 x 9.4 x 9.4mm |
| 身高 | 4.7mm |
| 长度 | 9.4mm |
| 最大集电极基极电压 | 45 V |
| 最高工作温度 | +125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-78 |
| 宽度 | 9.4mm |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 系列 | MAT01 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.025 A |
| 集电极 - 基极电压 | 45 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 45 V |
| 频率 | 450 MHz |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 工作温度范围 | -55C to 125C |
| 元件数 | 2 |
| 直流电流增益（最小值） | 500 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 0.025 A |
| 直流电流增益 | 500 |
| 频率 - 跃迁 | 450MHz |
| 供应商器件封装 | TO-78-6 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 800mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 300nA |
| 封装/外壳 | TO-78-6 Metal Can |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 最高工作频率 | 450 MHz |
| 最大直流集电极电流 | 0.025 A |
| 长度 | 9.4mm |
| 最高工作温度 | +125 °C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 4.7mm |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 宽度 | 9.4mm |
| 封装类型 | TO-78 |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V |
| 引脚数目 | 6 |
| 最小直流电流增益 | 500 |
| 尺寸 | 4.7 x 9.4 x 9.4mm |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.8 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大集电极-基极电压 | 45 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 品牌 | Analog Devices |
| 直流电流增益hFE最大值 | 840 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.12 V |
| 连续集电极电流 | 25 mA |
| 增益带宽产品fT | 450 MHz |
| 安装风格 | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 500 |
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