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SSM6P mosfet 系列

低功耗信号和开关应用的P沟道MOSFET

东芝 corporation 的 ssm6p 系列是专为低功耗应用设计的 p 沟道 mosfet,适用于信号处理和开关操作。这些器件常用于需要在不牺牲性能的情况下最小化功耗的电路中。如果您正在从事涉及音频放大器、低噪声前置放大器或任何需要精确控制功耗的系统项目,ssm6p 系列mosfet 是一个不错的选择。

值得注意的是,ssm6p 系列在低功耗场景下的效率很高。特别是在电池供电设备或每毫瓦都很重要的系统中,该系列特别有效于减少功率损耗。当工程师需要在保证可靠运行的同时优化功耗时,往往会选用这种mosfet。此外,其低导通电阻和高跨导使其非常适合需要快速切换速度而不产生显著功率尖峰的应用。

系列图片(8 张)

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
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03

SSM6P mosfet - 型号列表

14 个型号

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

输入电容(Ciss)(最大)@ Vds

连续漏极电流(Id)@ 25°C

其他名称

最大栅源电压 Vgs

导通电阻(最大)

封装形式

Vgs(th)(最大)@ Id

栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs

系列

标准包装数量

集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic

漏源电压(Vdss)

包装方式

供应商器件封装

工作温度

RoHS

FET类型

最大功率

额定功率

击穿电压

峰值脉冲电流(10/1000µs)

漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)

通道类型

最大功耗

工厂包装数量

晶体管类型

平均正向功率

栅极触发电压 Vgt (最大)

高度

长度

制造商零件编号库存价格产品类别包装方式封装形式RoHS连续漏极电流(Id)@ 25°C漏源电压(Vdss)标准包装数量FET类型FET特性最大功率导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs输入电容(Ciss)(最大)@ Vds安装类型供应商器件封装Vgs(th)(最大)@ Id其他名称最大栅源电压 Vgs导通电阻(最大)集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs工厂包装数量晶体管类型高度长度系列技术制造商全称额定功率漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)通道类型工作温度通道数量平均正向功率安装样式元件数量击穿电压峰值脉冲电流(10/1000µs)位数最大功耗栅极触发电压 Vgt (最大)抗辐射加固噪声系数额定输出功率最大频率漏电流(最大)Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic冷却的封装类型极性标准封装名称欧盟RoHS包装数量SVHC海关税号阈值电压最大额定电流导通电阻 RDS(On)触点电压(最大)重量端接方式引脚数材料表面处理模块/板类型栅极电荷配置
SSM6P16FE(TE85L,F)

Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 6-Pin ES T/R MOSF P CH 20V 100MA ES6

toshiba

39471: ¥4.08-Tape & Reel (TR)6ESLead free / RoHS Compliant100mA (Ta)20VTape & ReelMOSFET P-Channel, Metal OxideLogic Level Gate150mW8000@4V mOhm11pF @ 3VSurface MountES6-SSM6P16FE(TE85LF)CT±10 V8 ohm20 V--------0.15 W0.1 AP-55 to 150 °C---220 V0.1 A6--NoNot Required dBNot Required dBNot Required MHz0.1 ANot Required %ESSmall SignalP----------------
SSM6P05FU(TE85LF

Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin US T/R

toshiba

103000: ¥1.2519-----------------------------------------------------------------
SSM6P26TU(TE85L,F)

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin UF T/R

Toshiba

5825: ¥2.3085-Tape and Reel--------------±8230@4V-----------Enhancement150---2200.56500----------UFCompliantUF-------------
SSM6P15FE(TE85L,F)
3

MOSFET DUAL P-CH 30V .1A ES6

Toshiba

381: ¥0.4793-Tape & Reel (TR)SOT-563, SOT-666Lead free / RoHS Compliant100mA30V4,0002 P-Channel (Dual)Logic Level Gate150mW12 Ohm @ 10mA, 4V9.1pF @ 3VSurface MountES6 (1.6x1.6)1.7V @ 100µASSM6P15FE(TE85LF)CT-------------------------------------------------
SSM6P35FE(TE85L,F)
3

MOSFET DUAL P-CH 20V .1A ES6

Toshiba

22911: ¥3.74-Tape & Reel (TR)SOT-563, SOT-666Lead free / RoHS Compliant100mA20V4,0002 P-Channel (Dual)Logic Level Gate150mW8 Ohm @ 50mA, 4V12.2pF @ 3VSurface MountES6 (1.6x1.6)1V @ 1mASSM6P35FE(TE85LF)CT-------------------------------------------------
SSM6P36FE(TE85L,F)

MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6

Toshiba

0-----------------------------------------------------------------
SSM6P41FE(TE85L,F)
3

MOSFET DUAL P-CH 20V .72A ES6

Toshiba

661: ¥2.1601-Tape & Reel (TR)SOT-563, SOT-666Lead free / RoHS Compliant720mA20V4,0002 P-Channel (Dual)Logic Level Gate150mW300 mOhm @ 400mA, 4.5V110pF @ 10VSurface MountES6 (1.6x1.6)1V @ 1mASSM6P41FE(TE85LF)CT---1.76nC @ 4.5V---------------------------------------------
SSM6P47NU,LF
2

MOSFET P CH 20V 4A 2-2Y1A MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS

Toshiba

103000: ¥1.7748-Tape & Reel (TR)6-WDFN Exposed PadLead free / RoHS Compliant4A20V3,0002 P-Channel (Dual)Logic Level Gate1W95 mOhm @ 1.5A, 4.5V290pF @ 10VSurface Mount6-uDFN (2x2)1V @ 1mASSM6P47NULFCT8 V242 mOhms- 20 V4.6nC @ 4.5V3000P-Channel0.75 mm2 mmSSM6P47SiToshiba1 W- 4 A--2 Channel1 WSMD/SMT-----8 V-------------------------
SSM6P49NU,LF
2

MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

Toshiba

54811: ¥3.128-Tape & Reel (TR)6-WDFN Exposed PadLead free / RoHS Compliant4A20V3,0002 P-Channel (Dual)Logic Level Gate1W45 mOhm @ 3.5A, 10V480pF @ 10VSurface Mount6-uDFN (2x2)1.2V @ 1mASSM6P49NULFCT12 V157 mOhms- 20 V6.74nC @ 4.5V3000P-Channel0.75 mm2 mmSSM6P49SiToshiba1 W- 4 A--2 Channel1 WSMD/SMT-----12 V-------------------------
SSM6P36FE,LM(T
3

MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6

Toshiba Semiconductor and Storage

104000: ¥1.1628-Tape & Reel (TR)SOT-563, SOT-666Lead free / RoHS Compliant330mA20V4,0002 P-Channel (Dual)Logic Level Gate150mW1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V43pF @ 10VSurface MountES6 (1.6x1.6)1V @ 1mA----1.2nC @ 4V---------------------------------------------
SSM6P05FU(TE85L,F)

MOSFET P CH 0.2A 20V SOT23

TOSHIBA

0--:US6-:200mA:-20V----------:-4V:3.2ohm---:P Channel----------------:300mW-------------:No SVHC (20-Jun-2013)85412900:1.1V:-200mA:3.3ohm:20V0.000008:SMD:6:-:Dual--
SSM6P47NU,LF(T

MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A

Toshiba Semiconductor and Storage

53821: ¥5.576-----------------------------------------------------------------
SSM6P36FE,LM

MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 MOSFET Small Signal MOSFET

Toshiba Semiconductor and Storage

26401: ¥3.468-ReelES6-6RoHS Compliant- 330 mA, - 330 mA---------- 300 mV, - 300 mV-+/- 8 V, +/- 8 V3.6 Ohms, 3.6 Ohms- 20 V, - 20 V-4000P-Channel0.55 mm1.6 mmSSM6P36SiToshiba--Enhancement+ 150 C2 Channel150 mWSMD/SMT-----------------------------1.2 nC, 1.2 nCDual
SSM6P35FE,LM

MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel

Toshiba

0-ReelES6-6RoHS Compliant----------------4000-0.55 mm1.6 mmSSM6P35SiToshiba--------------------------------------
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