SKM100GB semiconductor 系列型号列表/参数/数据手册

Semikron 的 SKM100GB 系列是专为需要处理大量功率的工业和电子应用设计的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块。这些模块特别适用于对高效率和可靠性要求极高的系统，例如变频驱动器、逆变器和电源供应器。如果您正在从事涉及大型机械或重型电气系统的项目，这些 IGBT 模块将是理想的选择。它们在恶劣条件下表现出色，因此适合温度波动和机械应力常见的环境。值得一提的是，其紧凑的设计使得这些模块更容易集成到现有系统中而不影响性能。当工程师需要可靠的大功率切换解决方案时，往往会选择这一系列模块。这些模块配备了内置的热管理功能，在长时间运行时仍能保持最佳工作温度。这对于需要连续运行且停机成本较高的工业环境至关重要。另一个实用的观察是使用起来非常方便。Semikron 的 IGBT 模块通常附带全面的文档和支持，这可以显著减少将其集成到您的系统所需的时间和努力。

总体而言，SKM100GB 系列是提升工业或电子项目功率处理能力的理想选择。

制造商零件编号	库存	价格	产品类别	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	集电极电流（Ic）（最大）	制造商	容量（磅）	供电电压	封装形式	工作温度	集电极截止电流（最大）	宽度	高度	长度	安装类型	尺寸/外形	通道类型	晶体管类型	最大功率	25°C时电阻	类型	RoHS	最大栅源电压 Vgs	最小输入电压	冷却的封装	位数	配置	开启时间	关断延迟时间	集电极脉冲电流 (Icm)	栅极触发电压 Vgt (最大)	重量	引脚数	包装数量	SPG	原理图	每IC通道数	单元数量	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	主要材料	极性	其他规格	最大功耗	开通/关断时间（典型值）	连接方式	额定电压	开关能量	阈值电压	上升/下降时间（典型）	功能
4 SKM100GB12T4 SKM100GB12T4, IGBT Halfbridge Module, N-channel, Dual, 160A 1200V, 7-Pin GB IGBTMOD.100A1200V IGBT module SEMITRANS 2 1200 V, SKM100GB12T4, Semikron Semikron	232	1: ¥670.83	-	1200 V	100 A	斯洛伐克	0.16 千克	1.8	SEMITRANS 2	+175 °C	160 A	34mm	30.1mm	94mm	Screw	94 x 34 x 30.1mm	N	-	-	-	-	RoHS Compliant Part	±20V	1200 V	GB	7	Dual	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	15	10.2	3 x M5	-	-	-	-	-
5 SKM100GB125DN SKM100GB125DN, IGBT Module, N-channel, Dual, 100A 1200V, 7-Pin D 93 IGBTHALFBRIDGEULTRAFAST,1200V,SEMITRANS SEMITRANS Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; SEMITRANS2N Semikron N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A 1200 V, 7针 SEMITRANS2封装 Semikron	138	1: ¥948.70	-	1200 V	100A	意大利	0.18 千克	3.3V	SEMITRANS2N	+150 °C	100 A	34.5mm	30.5mm	94.5mm	Screw	94.5 x 34.5 x 30.5mm	N	IGBT	-	-	-	RoHS Compliant Part	±20V	1200 V	D 93	7	Dual	40ns	20ns	150A	±20V	0.17 kg	7	8	8	see	双半桥	1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 SKM100GB12V SEMIKRON	10	1: ¥906.00	-	1200 V	100 A	斯洛伐克	0.16 千克	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 SKM100GB063D IGBT;D-61;IGBT;600V,130A;600V;130A;600V;-40to150degC Sindopower / Semikron	26	1: ¥761.04	-	600 V	130A	斯洛伐克	0.16 千克	600V	D61	-40to150°C	-	-	-	-	-	-	-	IGBT	7mJ	0.27K/W	Standard	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2.1V	Si	N-Channel	5.6nF	-	-	-	600V,130A	4mJ(Typ.)	4.5V(Min.)to6.5V(Max.)	35nS(Typ.)	-
5 SKM100GB176D SEMITRANS;IGBTSTANDARDHALFBRIDG;1700V Transistor: IGBT; 1.7kV; 125A; SEMITRANS2 Semikron N通道 IGBT 模块, 双半桥, 125 A 1700 V, 7针 SEMITRANS2封装 Sindopower / Semikron	10	1: ¥636.10	-	1700 V	125A	斯洛伐克	0.16 千克	1700V	SEMITRANS2	+150 °C	125 A	34mm	30.5mm	94mm	screwed	see	N	IGBT	44mJ	0.24K/W	Trench	-	-	-	-	-	-	40ns	140ns	150A	±20V	0.16 kg	7	8	8	see	双半桥	1	2V	Si	N-Channel	5.7nF	-	-	-	-	-	-	-	Y
3 SKM100GB12T4G IGBThalfbridge-trench Sindopower / Semikron	0		-	1200 V	160A	斯洛伐克	0.325 千克	1200V	SEMITRANS3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10.7mJ	0.038K/W	Trench	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKM100GB123D IGBTMODULE,1.2KV,100A,SEMITRANS2 Sindopower / Semikron	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKM100GB128D Power IGBT Transistor Semikron	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKM100GB12T4W Power IGBT Transistor Semikron	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SKM100GB17E4 Power IGBT Transistor Semikron	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

SKM100GB semiconductor

SKM100GB semiconductor 系列

系列图片（14 张）

文档与媒体

常见问答

SKM100GB semiconductor - 型号列表

供电电压

集电极电流（Ic）（最大）

封装形式

集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic

集电极截止电流（最大）

尺寸/外形

容量（磅）

工作温度

最大功率

25°C时电阻

宽度

高度

长度

安装类型

冷却的封装

制造商

关断延迟时间

重量

Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic

类型

其他规格