MT49H64M9BM 系列
Micron Technology, Inc.高速576Mbit RLDRAM芯片，采用紧凑型BGA封装
Micron Technology, Inc. 的 MT49H64M9BM 系列是一款高性能 576Mbit Rambus 低功耗 DRAM (RLDRAM) 芯片，采用紧凑的球栅阵列 (BGA) 封装。这些芯片专为需要快速数据访问和低功耗的应用设计，例如图形处理单元 (GPU)、网络设备和高级存储解决方案。
如果您正在开发需要高带宽和低延迟的系统，这些 RLDRAM 芯片非常适合。它们特别适用于关键数据传输速率至关重要的环境，比如高端游戏机或专业工作站。值得一提的是，其紧凑的 BGA 封装有助于高效散热并便于集成到密集电路板中。工程师在需要在空间受限的设计中平衡性能与功耗效率时往往会选用这种芯片。
另一个实用观察是，这些芯片在速度和功耗之间提供了良好的平衡，使其成为传统 DDR SDRAM 功耗过大或需要更快的数据传输率但又不希望牺牲较低功耗的应用的理想选择。总体而言，MT49H64M9BM 系列为高性能计算和多媒体应用提供了可靠且强大的解决方案，其中速度和可靠性至关重要。
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MT49H64M9BM - 型号列表
共 11 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 最小起订量 | 单位包装 | 标准包装数量 | 供电电压 | 封装形式 | 工作温度 | RoHS | 转速 | 接口 | 时钟速率 | 存储器容量 | 存储器类型 | 包装方式 | 供应商器件封装 | 类型 | 密度 | 存储器格式 | 地址数量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 64Mx9 1.8V 144-Pin mBGA Tray IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS UBGA micron | 10 | 1: ¥309.0675 | - | - | - | Trays | 1.8 V | 144mBGA | 0 to 95 °C | Lead free / RoHS Compliant | 2.5ns | Parallel | 400 MHz | 576M (64M x 9) | RLDRAM 2 | Bulk | 144-µBGA (18.5x11) | RLDRAM | 576 Mb | RAM | 25 Bit |
| 10 | 1: ¥397.2478 | - | - | - | Trays | 1.8 V | 144mBGA | -40 to 95 °C | - | - | - | 400 MHz | - | - | - | - | RLDRAM | 576 Mb | - | 25 Bit |
| 0 | - | 1 | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 0 | - | 1 | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
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| 0 | - | 1 | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 0 | - | 1 | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 0 | - | 1 | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
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| 10 | 1000: ¥269.28 | - | - | - | 1,000 | 1.7 V ~ 1.9 V | 144-TFBGA | 0°C ~ 95°C | Lead free / RoHS Compliant | 2.5ns | Parallel | - | 576M (64M x 9) | RLDRAM 2 | Tape & Reel (TR) | 144-µBGA (18.5x11) | - | - | RAM | - |
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