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MR25H10 semiconductor 系列

1Mb串行SPI MRAM NVRAM芯片,采用8引脚DFN封装

Everspin Technologies 的 MR25H10 系列是一款采用 8 引脚DFN 封装的 1Mb 串行SPI MRAM/NVRAM 芯片。这些芯片专为需要高可靠性和低功耗的非易失性内存应用设计。如果您正在开发需要快速写入速度且无需外部电源即可保留数据的非易失性存储项目,这些芯片可能非常适合。

值得注意的是它们的耐久性——MRAM 可以承受数百万次写入周期而不降级,这使得它们非常适合需要频繁更新的应用场景,例如汽车系统、物联网设备或工业控制单元。当工程师需要能够在恶劣工作条件下承受频繁重写的非易失性解决方案时,往往会选择这种芯片。

另一个实际应用场景是在需要最大限度减少功耗的电池供电设备中。MR25H10 能够在没有电源的情况下保留数据,使其非常适合设备长时间处于深度睡眠模式的情况。此外,串行SPI 接口易于使用且广泛支持,使其实现到现有设计中的集成相对简单。

系列图片(4 张)

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常见问答

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03

MR25H10 semiconductor - 型号列表

共 8 个型号

包装方式

接口

最小供电电压

封装形式

工作温度

其他名称

标准包装数量

RoHS

存储器容量

供电电压

供应商器件封装

核心数/总线宽度

制造商全称

存取时间

密度

制造商零件编号库存价格产品类别标准包装数量RoHS转速接口存储器容量存储器类型供电电压包装方式封装形式供应商器件封装系列制造商全称存储器格式工作温度最小供电电压核心数/总线宽度供电电流平均正向功率最大功耗平均整流电流 Io安装类型安装样式位数类型密度标准封装名称欧盟RoHS抗辐射加固频率存取时间额定电压输出电流最大额定电流宽度引脚样式冷却的封装连接器用途总长度包装数量外壳尺寸-插件印刷电路板数量其他名称共模瞬态抗扰度(最小)机械寿命
MR25H10MDFR
2

NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI

Everspin Technologies

104000: ¥89.148-4,000RoHS Compliant40MHzSPI1 MBMRAM (Magnetoresistive RAM)3.6 VReelDFN-88-DFN-EP, Small Flag (5x6)MR25H10128 K x 8RAM+ 125 C2.7 V to 3.6 V8 bit20 mA0.6 W0.6 W20 mA-----------------------New Product: New from this manufacturer.
MR25H10MDC
2

NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM NVRAM MRAM Serial-SPI 1M-Bit 3.3V 8-Pin DFN EP Tray IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

Everspin Technologies

671: ¥80.852-570Lead free / RoHS Compliant40MHzSerial-SPI1M (128K x 8)MRAM (Magnetoresistive RAM)2.7 V ~ 3.6 VTray8-TDFN Exposed Pad8-DFN-EP, Large Flag (5x6)MR25H10128Kx8RAM-40°C ~ 125°C2.7 V8----Surface MountSMD/SMT8MRAM1048576 BitDFNCompliantNo40MHz10 ns2.727 mA276No LeadDFN EPSPI Serial5DFN EP0.958---
MR25H10CDC
2

NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM NVRAM MRAM Serial-SPI 1M-Bit 3.3V 8-Pin DFN EP Tray IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

Everspin Technologies

14161: ¥93.50-570Lead free / RoHS Compliant40MHzSerial-SPI1M (128K x 8)MRAM (Magnetoresistive RAM)2.7 V ~ 3.6 VTray8-VDFN Exposed Pad8-DFN-EP, Large Flag (5x6)MR25H10128Kx8RAM-40°C ~ 85°C2.7 V8----Surface MountSMD/SMT8MRAM1048576 BitDFNCompliantNo40MHz9 ns2.727 mA276No LeadDFN EPSPI Serial5DFN EP0.958819-1014Industrial-
MR25H10CDFR
2

NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

Everspin Technologies

104000: ¥54.2912-4,000RoHS Compliant40MHzSPI Serial1M (128K x 8)MRAM (Magnetoresistive RAM)2.7 V ~ 3.6 VTape & Reel (TR)8-VDFN Exposed Pad8-DFN-EP, Small Flag (5x6)MR25H10128 K x 8RAM-40°C ~ 85°C2.7 V to 3.6 V8 bit20 mA0.6 W0.6 W20 mA------------------------
MR25H10CDF
3

NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN NVRAM MRAM Serial-SPI 1M-Bit 3.3V 8-Pin DFN EP Tray

Everspin Technologies

44571: ¥91.868-570RoHS Compliant40MHzSPI Serial1M (128K x 8)MRAM (Magnetoresistive RAM)2.7 V ~ 3.6 VTray8-VDFN Exposed Pad8-DFN-EP, Small Flag (5x6)MR25H10128 K x 8RAM-40°C ~ 85°C2.7 V to 3.6 V8 bit20 mA0.6 W0.6 W20 mASurface Mount-8MRAM1048576 Bit--No40MHz10 ns-27 mA---DFN EPSPI Serial----819-1039--
MR25H10MDF
4

NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

Everspin Technologies

171: ¥121.856-570RoHS Compliant40MHzSPI Serial1M (128K x 8)MRAM (Magnetoresistive RAM)2.7 V ~ 3.6 VTray8-VDFN Exposed Pad8-DFN-EP, Small Flag (5x6)MR25H10128 K x 8RAM-40°C ~ 125°C2.7 V to 3.6 V8 bit20 mA0.6 W0.6 W20 mA---------------------819-1042--
MR25H10MDCR

NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

Everspin Technologies

104000: ¥42.0784-4,000RoHS Compliant40MHzSPI Serial1M (128K x 8)MRAM (Magnetoresistive RAM)2.7 V ~ 3.6 VTape & Reel (TR)8-TDFN Exposed Pad8-DFN-EP, Large Flag (5x6)MR25H10128 K x 8RAM-40°C ~ 125°C-------SMD/SMT----------------------
MR25H10CDCR
2

NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM NVRAM MRAM Serial-SPI 1M-Bit 3.3V 8-Pin DFN EP T/R IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

Everspin Technologies

104000: ¥32.436-4,000Lead free / RoHS Compliant40MHzSerial-SPI1M (128K x 8)MRAM (Magnetoresistive RAM)2.7 V ~ 3.6 VTape and Reel8-TDFN Exposed Pad8-DFN-EP, Large Flag (5x6)MR25H10128Kx8RAM-40°C ~ 85°C3.68----Surface MountSMD/SMT8MRAM1MDFNCompliant---2.7-276No Lead--5DFN EP0.958-Industrial-
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