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MICMT46V128 memory 系列

高密度DDR SDRAM芯片,封装类型为TSOP和FBGA,适用于内存应用

Micron Technology, Inc. 的 MICMT46V128 系列是一种高密度 DDR SDRAM(双数据率同步动态随机存取存储器),提供 TSOP(薄小型外包装)和 FBGA(倒装芯片球栅阵列)封装格式。这些内存芯片设计用于需要快速可靠数据访问的各种应用,例如服务器、工作站和高性能计算系统。

如果您正在开发一个需要大量内存容量和高数据吞吐量的项目,这些芯片是一个不错的选择。值得一提的是它们在封装上的灵活性——TSOP 和 FBGA 选项都允许更好的热管理并简化电路板布局,这对高密度系统至关重要。当工程师需要在一个紧凑的外形中集成大量内存而不牺牲性能时,通常会选择这种芯片。

另一个实用的好处是它们与现代 DDR 接口的兼容性,这使得它们很容易集成到现有的使用 DDR 内存的新系统或设计中。TSOP 封装特别适用于空间有限的小型外形,而 FBGA 则为更苛刻的应用提供了更好的散热性能。

总体而言,MICMT46V128 系列为内存密集型任务提供了稳健的解决方案,确保您的系统能够应对当今高性能计算环境的需求。

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MICMT46V128 memory - 型号列表

9 个型号

时钟速率

存取时间

供电电压

封装形式

密度

地址数量

工作温度

制造商零件编号库存价格产品类别时钟速率存取时间供电电压封装形式类型密度地址数量工作温度标准包装数量
MICMT46V128M4TG6TD

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 128Mx4 2.5V 66-Pin TSOP Tray

micron

0-333 MHz0.7 ns2.5 V66TSOPDDR SDRAM512 Mb15 Bit0 to 70 °C-
MICMT46V128M8TG75

DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 128Mx8 2.5V 66-Pin TSOP Tray

micron

0-266 MHz0.75 ns2.5 V66TSOPDDR SDRAM1 Gb16 Bit0 to 70 °C-
MICMT46V128M4BN5BD

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 128Mx4 2.6V 60-Pin FBGA Tray

micron

0-400 MHz0.7 ns2.6 V60FBGADDR SDRAM512 Mb15 Bit0 to 70 °C-
MICMT46V128M4BN6IT

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 128Mx4 2.5V 60-Pin FBGA Tray

micron

0-333 MHz0.6 ns2.5 V60FBGADDR SDRAM512 Mb15 Bit-40 to 85 °CTape & Reel
MICMT46V128M8P6T!A

DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 128Mx8 2.5V 66-Pin TSOP Tray

micron

101: ¥813.0719-333 MHz0.7 ns2.5 V66TSOPDDR SDRAM1 Gb16 Bit-40 to 85 °C-
MICMT46V128M8P75A

DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 128Mx8 2.5V 66-Pin TSOP Tray

micron

0-266 MHz0.75 ns2.5 V66TSOPDDR SDRAM1 Gb16 Bit0 to 70 °C-
MICMT46V128M4FN6D

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 128Mx4 2.5V 60-Pin FBGA Tray

micron

0-333 MHz0.7 ns2.5 V60FBGADDR SDRAM512 Mb15 Bit0 to 70 °C-
MICMT46V128M8P6TA

DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 128Mx8 2.5V 66-Pin TSOP Tray

micron

0-333 MHz0.7 ns2.5 V66TSOPDDR SDRAM1 Gb16 Bit0 to 70 °C-
MICMT46V128M8TG6TA

DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 128Mx8 2.5V 66-Pin TSOP Tray

micron

0-333 MHz0.7 ns2.5 V66TSOPDDR SDRAM1 Gb16 Bit0 to 70 °C-
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