MAGX-001214 transistors rf 系列
M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.高功率GaN晶体管及射频应用评估板
M/A-Com公司的MAGX-001214系列是一种高功率氮化镓（GaN）晶体管产品线，专门设计用于射频（RF）应用。这些晶体管通常用于需要强大放大和高效功率处理的场景，例如基站、雷达系统和卫星通信设备。
当工程师需要在长距离传输信号时而不显著损失功率或质量时，往往会选用这些晶体管。MAGX-001214系列特别适用于需要线性放大并且可以从氮化镓技术提供的高效率和宽频带中获益的系统。值得注意的是，这些晶体管配有评估板，这使得设计师能够快速测试并将其集成到设计方案中，从而加快原型制作过程，并确保从一开始就具备兼容性和性能。
另一个实用观察是，这些晶体管经常出现在对热管理至关重要的环境中。由于涉及的高功率水平，有效的冷却解决方案对于维持可靠性和防止热失控至关重要。如果您正在从事涉及高功率射频放大器的项目，MAGX-001214系列因其性能和易用性的结合可能是一个不错的选择。
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常见问答
MAGX-001214 transistors rf - 型号列表
共 8 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 产品 | 其他名称 | 标准包装数量 | RoHS | 增益 | 频率 | 额定输出功率 | 测试电压 | 额定电压 | 晶体管类型 | 输出电流 | 最大额定电流 | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 包装方式 | 类型 | 电流传输比（最小） | 漏源电压（Vdss） | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 安装样式 | 封装形式 | 工作温度 | 抗辐射加固 | 安装类型 | 位数 | 结工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Transistors RF GaAs 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB TRANSISTOR,GAN,250W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB Trans JFET 8.8A GaN HEMT 3-Pin M/A-COM Technology Solutions | 10 | 15: ¥4,318.00 | - | RF JFET | 1465-1087 | 5 | RoHS Compliant | 17.6dB | 1.2GHz ~ 1.4GHz | 250W | 50V | 65V | HEMT | 250mA | 9A | 8 A | Bulk | GaN SiC HEMT | 5 S | 175 V | - 8 V | SMD/SMT | Cu/Mo/Cu flanged ceramic | - 40 C to + 95 C | No | Screw | 3 | 95C |
Transistors RF GaAs 1.2-1.4GHz 50Volt 125W Pk Gain 18dB TRANSISTOR,GAN,125W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50Volt 125W Pk Gain 18dB M/A-COM Technology Solutions | 10 | 19: ¥2,325.60 | - | RF JFET | 1465-1086 | 5 | RoHS Compliant | 18.4dB | * | 125W | 50V | 65V | HEMT | 100mA | 4.8A | 3.9 A | Bulk | GaN SiC HEMT | 2.5 S | 175 V | - 8 V | SMD/SMT | Cu/Mo/Cu flanged ceramic | - 40 C to + 95 C | - | - | - | - |
TRANSISTOR,GAN,500W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50V GaN 500W Pk Gain 19.2dB M/A-Com Technology Solutions | 22 | 1: ¥6,205.68 | - | RF JFET | 1465-1088 | 5 | RoHS Compliant | 19.22dB | 1.2GHz ~ 1.4GHz | 500W | 42V | 65V | HEMT | 400mA | 18.1A | 21.5 A | Bulk | GaN SiC HEMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
TRANSISTOR,GAN,500W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50V GaN 500W Pk Gain 19.2dB M/A-Com Technology Solutions | 25 | 1: ¥6,205.68 | - | RF JFET | 1465-1089 | 5 | RoHS Compliant | 19.22dB | 1.2GHz ~ 1.4GHz | 500W | 50V | 65V | HEMT | 400mA | 18.1A | 21.5 A | Bulk | GaN SiC HEMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 10 | 1: ¥12,240.00 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 10 | 1: ¥12,240.00 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 10 | 1: ¥12,240.00 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |