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HN2C01 transistors (bjt) - array 系列

双NPN双极型晶体管,50V,0.15A,低频应用

东芝生产的HN2C01晶体管是一款双NPN双极型晶体管阵列,适用于低频应用。阵列中的每个晶体管具有50V的击穿电压和最大集电极电流0.15A。如果您正在处理涉及开关电路、放大器或简单逻辑门的项目,这些晶体管是一个可靠的选择。

值得注意的是,它们适合需要紧凑解决方案的应用。由于它们采用双封装,与使用两个单独的晶体管相比,可以节省电路板空间。当工程师需要一个简单的、低频的开关解决方案而不需要高速性能时,往往会选择这种晶体管。

这些晶体管特别适用于需要切换相对较小电流但要求稳定可靠的电源电路。它们在音频放大器中也有应用,因为50V的击穿电压确保即使在瞬态电压尖峰下也能安全运行。

另一个实际应用是在需要驱动小负载或执行简单逻辑操作的数字电路中。它们的低频特性意味着非常适合低于几百kHz的电路,因此非常适合许多嵌入式系统和控制电路。

系列图片(3 张)

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
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HN2C01 transistors (bjt) - array - 型号列表

1 个型号
制造商零件编号库存价格产品类别其他名称标准包装数量工厂包装数量RoHS最大功率晶体管类型供电电压Vce饱和电压(最大)过渡频率增益带宽积平均正向功率最大功耗集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, IcVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic集电极电流(Ic)(最大)集电极截止电流(最大)直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce包装方式安装类型安装样式封装形式供应商器件封装系列制造商全称配置
HN2C01FEYTE85LF
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TRANSISTOR NPN ES6 PLN Transistors Bipolar - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A TRANS NPN DUAL 50V 100MA ES6 Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A

Toshiba Semiconductor and Storage

3930150: ¥25.6584-HN2C01FEYTE85LFCT4,0004000Lead free / RoHS Compliant100mW2 NPN (Dual)50V0.1 V60MHz60 MHz100 mW100 mW60 V250mV @ 10mA, 100mA150mA100nA (ICBO)120 @ 2mA, 6VTape & Reel (TR)Surface MountSMD/SMTSOT-563, SOT-666ES6HN2C01ToshibaDual
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