HI1005-1C1 inductor surface mount 系列型号列表/参数/数据手册

Advanced Ceramic X Corporation 的 HI1005-1C1 陶瓷多层片式射频电感器专为高频应用设计。如果您正在开发需要在几GHz以上工作的射频电路，这些电感器是不错的选择。它们具有小巧的封装和出色的电气性能，非常适合空间受限的设计，如移动设备、无线路由器和其他便携式电子产品。

值得注意的是，它们在不同温度下的稳定性很好。当工程师需要在广泛的工作条件下保持一致的性能时，往往会选用这些电感器。多层陶瓷结构确保即使在温度波动的情况下，电感值也能保持稳定，这对于许多射频应用至关重要，在这些应用中，温度变化可能会显著影响性能。

另一个实用的好处是，与一些其他片式电感器相比，它们能够处理更高的功率水平。这使得它们适用于需要传输或接收具有较大功率信号的应用，而无需担心过热或组件降级的问题。总体而言，HI1005-1C1 电感器是那些希望在设计中集成高频组件并同时满足尺寸和性能要求的可靠选择。

制造商零件编号	库存	价格	产品类别	品质因数 @ 频率	容差	电感量	最大额定电流	初始电阻（最小）	高度	磁芯材料	封装形式	类型
HI1005-1C1N5SMT Ind RF Chip Multi-Layer 1.5nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 0402 T/R advanced ceramic x corp.	8000	28: ¥1.224	-	8@100MHz	0.3 nH	1.5 nH	300 mA	130 mOhm	0.6 mm	Ceramic	0402	RF Chip
HI1005-1C1N8SMT Ind RF Chip Multi-Layer 1.8nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 0402 T/R advanced ceramic x corp.	0		-	8@100MHz	0.3 nH	1.8 nH	300 mA	140 mOhm	0.6 mm	Ceramic	0402	RF Chip
HI1005-1C15NJMT Ind RF Chip Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 0402 T/R advanced ceramic x corp.	0		-	8@100MHz	5 %	15 nH	250 mA	600 mOhm	0.6 mm	Ceramic	0402	RF Chip
HI1005-1C10NJMT HH:130.00786.005 IND 0402 10NH J TOL Ind RF Chip Multi-Layer 10nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 0402 T/R advanced ceramic x corp.	0		-	8@100MHz	5 %	10 nH	250 mA	450 mOhm	0.6 mm	Ceramic	0402	RF Chip
HI1005-1C1N2SMT Ind RF Chip Multi-Layer 1.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 0402 T/R advanced ceramic x corp.	0		-	8@100MHz	0.3 nH	1.2 nH	300 mA	120 mOhm	0.6 mm	Ceramic	0402	RF Chip
HI1005-1C1N0SMT Ind RF Chip Multi-Layer 1nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 0402 T/R advanced ceramic x corp.	0		-	8@100MHz	0.3 nH	1 nH	300 mA	120 mOhm	0.6 mm	Ceramic	0402	RF Chip

HI1005-1C1 inductor surface mount

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