GA05JT transistor 系列
GeneSiC Semiconductor, Inc.高压硅 carbide 晶体管，适用于稳健的电子应用
GeneSiC Semiconductor 的 GA05JT 晶体管系列适用于高压应用，利用硅 carbide (SiC) 技术提供卓越的性能和可靠性。这些晶体管非常适合那些对电压容限和开关速度有严格要求的功率电子系统。如果您正在开发电动汽车、可再生能源逆变器或工业电机驱动器，由于其高效处理高电压的能力，这些晶体管可能会成为游戏规则改变者。
值得注意的是，GA05JT 晶体管表现出优异的热稳定性，在高功率电路中，热量管理往往颇具挑战性。工程师在需要能够在恶劣条件下可靠运行而不会迅速退化的解决方案时，往往会选用这种晶体管。另一个实用的好处是它们的快速开关速度，这有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。这使得它们特别适合需要频繁开闭循环的应用。
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GA05JT transistor - 型号列表
共 6 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | RoHS | 晶体管类型 | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 包装方式 | 工作温度 | 标准包装数量 | 系列 | 漏源电压（Vdss） | 封装形式 | 海关税号 | 最大功耗 | 重量 | 引脚数 | 工厂包装数量 | 平均正向功率 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 导通电阻（最大） | 安装样式 | 制造商全称 | 配置 | 其他名称 | FET类型 | FET特性 | 最大功率 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 安装类型 | 供应商器件封装 | Vgs(th)（最大）@ Id | 下降时间 | 最大栅源电压 Vgs | 栅极电荷 | 上升时间（典型） | 首抽头延迟 | 通道数量 | 技术 | 通道类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 10 | 2500: ¥65.28 | - | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - | - | 500 | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1242-1173-1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
 TRANS SJT 5A 1.2KV SIC JUNCTION TRANS, 1.2KV, 5A, TO-247AB MOSFET 1200V 15A Standard GeneSiC Semiconductor | 10 | 1: ¥76.50 | - | - | :JFET | 5A (Tc) | * | :175° | 30 | * | 1200V (1.2kV) | * | 85412900 | :57W | 0 | :3 | - | - | - | - | - | - | - | - | Silicon Carbide, Normally Off | Super Junction | 57W | 280 mOhm @ 5A, 100mA | * | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 TRANS SJT 5A 1.2KV SIC JUNCTION TRANS, 1.2KV, 5A, TO-263 MOSFET 1200V 15A Standard GeneSiC Semiconductor | 101 | 1: ¥76.50 | - | Lead free / RoHS Compliant | :JFET | :5A | :Each | :175° | 50 | * | :1.2kV | - | 85412900 | :58W | 0 | :3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
 | 18 | 1: ¥374.884 | - | RoHS Compliant | N-Channel | 9 A | Bulk | - 55 C | - | - | 5.8 A | TO-46-3 | - | - | - | - | 50 | 20 W | 100 V | 620 mOhms | Through Hole | GeneSiC Semiconductor | Single | - | - | - | - | - | - | - | 30 V | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 44 | 1: ¥498.032 | - | RoHS Compliant | N-Channel | 9 A | Bulk | + 225 C | - | - | - | TO-46-3 | - | - | - | - | 50 | 20 W | 300 V | 620 mOhms | Through Hole | GeneSiC Semiconductor | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | 12.4 ns | 30 V | 14.6 nC | 6.6 ns | 12 ns | 1 Channel | SiC | Enhancement |
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