BSC011N03LS transistor 系列型号列表/参数/数据手册

Infineon的BSC011N03LS是一款30V N沟道MOSFET，专为功率应用设计。如果您需要在中等电压下切换大电流，这些晶体管是理想的选择。它们特别适用于电源供应器、逆变器和电机驱动器等场合，其中效率和可靠性至关重要。

值得注意的是，其低导通电阻有助于在运行过程中最大限度地减少功率损耗。工程师通常会在需要性能与成本平衡时选择这种晶体管。30V的额定值使它们适用于从消费电子产品到工业设备的各种应用。另一个实用的好处是其热性能；它们能够很好地处理热量，允许进行更紧凑的设计而不牺牲散热要求。

此外，这些MOSFET还具有良好的静电放电（ESD）鲁棒性，在可能存在静电的环境中这一点尤为重要。总体而言，如果您正在寻找一款可靠的MOSFET用于下一个功率应用，BSC011N03LS绝对值得考虑。

制造商零件编号	库存	价格	产品类别	最大栅源电压 Vgs	导通电阻（最大）	宽度	通道类型	工作温度	工厂包装数量	RoHS	下降时间	栅极电荷	上升时间（典型）	晶体管类型	首抽头延迟	通道数量	元件数量	Vgs(th)（最大）@ Id	平均正向功率	最大功耗	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	电流传输比（最小）	开关时间（Ton, Toff）（最大）	连续漏极电流（Id）@ 25°C	高度	长度	包装方式	安装类型	安装样式	封装形式	包装数量	系列	技术	制造商全称	配置	商标名	击穿电压	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	峰值脉冲电流（10/1000µs）	其他名称	零件号别名	标准包装数量	FET类型	FET特性	最大功率	额定功率	开通延迟时间	输出功能	关断延迟时间	供电电压	输入电阻	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	漏源电压（Vdss）	栅极触发电压 Vgt (最大)	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	引脚数	尺寸/外形	供应商器件封装	功能	卡标准	标准封装名称	欧盟RoHS	引脚样式	总长度	位数	外壳尺寸-插件	印刷电路板数量	下降时间（典型）	传播延迟（最大）
3 BSC011N03LS Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON MOSFET N-CH 30V 100A Infineon , N沟道 MOSFET, 100 A, Vds=30 V, 8针 TDSON封装 MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS infineon technologies	8822	50: ¥9.8879	-	20 V	900 uOhms	5.35mm	Enhancement	-55 to 150 °C	5000	Lead free / RoHS Compliant	6.2 ns	72 nC	8.8 ns	N-Channel	37 ns	1 Channel	1	2.2V @ 250µA	96 W	96 W	30 V	170 S	6.7 ns	37A (Ta), 100A (Tc)	1.1mm	6.1mm	Tape & Reel (TR)	Surface Mount	SMD/SMT	8TDSON EP	TDSON	BSC011N03	Si	Infineon Technologies	Single Quad Drain Triple Source	OptiMOS	30 V	1.1@10V mOhm	37 A	BSC011N03LSCT	BSC011N03LSATMA1 SP000799082	Tape & Reel	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	96W	2.5 W	6.7 ns	增强	37 ns	1V	0.0014 Ω	72nC @ 10V	30V	+/- 20 V	100 A	4700pF @ 15V	8	6.1 x 5.35 x 1.1mm	PG-TDSON-8	Y	功率 MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	6.2 ns	8.8 ns
BSC011N03LSIXT MOSFET OptiMOS Power MOSFET MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS Infineon Technologies	10	1: ¥20.876	-	20 V	900 uOhms	5.15 mm	Enhancement	- 55 C	5000	RoHS Compliant	6.2 ns	72 nC	8.8 ns	N-Channel	37 ns	1 Channel	-	1.2 V	96 W	-	30 V	80 S	6.4 ns	100 A	1.27 mm	5.9 mm	Reel	-	SMD/SMT	PG-TSDSON-8	-	BSC011N03	Si	Infineon Technologies	Single Quad Drain Triple Source	OptiMOS	-	1.1 mOhms	-	-	BSC011N03LSIATMA1 SP000884574	-	-	-	-	96 W	-	-	-	-	-	-	-	+/- 20 V	100 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BSC011N03LSATMA1 Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Infineon Technologies AG	2236	409: ¥6.2431	-	20 V	900 uOhms	5.15 mm	Enhancement	+ 150 C	5000	RoHS Compliant	6.2 ns	96 nC	8.8 ns	N-Channel	37 ns	1 Channel	1	1.2 V	96 W	2500	30 V	85 S	6.7 ns	100 A	1.27 mm	5.9 mm	Reel	Surface Mount	SMD/SMT	TDSON-8	TDSON EP	BSC011N03	Si	Infineon Technologies	1 N-Channel	OptiMOS	30	-	37	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SON	Compliant	No Lead	5.15	8	1	8	-	-
BSC011N03LSIATMA1 Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP Infineon Technologies AG	60000	5000: ¥3.9173	-	20	1.1@10V	5.9	Enhancement	150	-	-	-	-	-	-	-	-	1	-	-	2500	-	-	-	-	-	-	-	Surface Mount	-	-	TDSON EP	-	-	-	-	-	30	-	37	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SON	Compliant	No Lead	5.15	8	1	8	-	-
3 BSC011N03LSI MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 Infineon , N沟道 MOSFET, 100 A, Vds=30 V, 8针 TDSON封装 MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS Infineon Technologies	10	1: ¥9.20	-	20 V	900 uOhms	5.35mm	N	+150 °C	5000	Lead free / RoHS Compliant	6.2 ns	90 nC	9.2 ns	Si	35 ns	1 Channel	1	2V @ 250µA	96 W	96 W	30 V	160s	6.4 ns	37A (Ta), 100A (Tc)	1.1mm	6.1mm	Tape & Reel (TR)	Surface Mount	SMD/SMT	8-PowerTDFN	TDSON	BSC011N03	Si	Infineon Technologies	1 N-Channel	-	-	1.1 mOhm @ 30A, 10V	-	BSC011N03LSICT	-	5,000	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	96W	-	6.4 ns	增强	35 ns	0.56V	0.0014 Ω	68nC @ 10V	30V	-	-	4300pF @ 15V	8	6.1 x 5.35 x 1.1mm	PG-TDSON-8	Y	功率 MOSFET	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BSC011N03LSTATMA1 INFINEON	24590	239: ¥10.71	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

BSC011N03LS transistor

BSC011N03LS transistor 系列

系列图片（4 张）

文档与媒体

常见问答

BSC011N03LS transistor - 型号列表

工作温度

电流传输比（最小）

封装形式

栅极电荷

Vgs(th)（最大）@ Id

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

宽度

其他名称

零件号别名

标准包装数量

RoHS

最大栅源电压 Vgs

额定功率

开通延迟时间

上升时间（典型）

晶体管类型

关断延迟时间

首抽头延迟

供电电压

击穿电压

最大功耗

导通电阻（最大）

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs

开关时间（Ton, Toff）（最大）

峰值脉冲电流（10/1000µs）

栅极触发电压 Vgt (最大)

输入电容（Ciss）（最大）@ Vds

连续漏极电流（Id）@ 25°C

高度

长度

包装方式

包装数量

通道类型

配置