芯天下
  1. 首页
  2. 产品分类
  3. cigen-BCW66KG

BCW66KG gp bjt 系列

NPN silicon transistors in SOT-23 form factor

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
加载中...
03

BCW66KG gp bjt - 型号列表

5 个型号

集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic

工作温度

最大频率

最小输入电压

最大功耗

集电极截止电流(最大)

直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce

封装形式

制造商零件编号库存价格产品类别集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce最大频率最小输入电压最大功耗集电极截止电流(最大)安装类型位数类型工作温度标准封装名称欧盟RoHS元件数量电源电压(最大)宽度包装方式引脚样式总长度包装数量外壳尺寸-插件印刷电路板数量封装形式标准包装数量抗辐射加固频率额定功率晶体管类型供电电压集电极-发射极击穿电压(最大)冷却的封装最小起订量单位包装RoHS无铅定义每端口功率(瓦)集电极电流(Ic)(最大)极性匹配码标准交期
BCW66KGE6433XT
BCW66KGE6433XT

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Infineon Technologies

10¥0.17-75110@10mA@1V|160@100mA@1V|40@500mA@1V170(Typ)455000.8Surface Mount3NPN150SOT-23Compliant151.3Tape and ReelGull-wing2.9SOT-231(Max)3------------------
BCW66KGE6327
BCW66KGE6327

Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R

infineon technologies

104444¥0.20-75 V110@10mA@1V|160@100mA@1V|40@500mA@1V170(Typ) MHz45 V500 mW0.8 ASurface Mount3NPN-65 to 150 °C-----------3SOT-23Tape & Reel----------------
BCW66KGE6327HTSA1
BCW66KGE6327HTSA1

Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Infineon Technologies AG

1100¥0.193-75110@10mA@1V|160@100mA@1V|40@500mA@1V170(Typ)455000.8 ASurface Mount3NPN-65C to 150CSOT-23Compliant151.3Tape and ReelGull-wing2.9SOT-231(Max)3--No170 MHz0.5 WNPN75 V5 VSOT-23---------
BCW66KG
BCW66KG

NPN TRANS.45V SOT23 RthJS < 70 TransistorNPNAF45V800mAhfe250SOT23

INFINEON

10¥0.18-45V250-------------------SOT23--------30003000RoHS Compliant PartRoHS-conform0.33W0.8ANPNBCW66KG7 weeks
0----------------------------------------
1 / 1
1