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SOT-23/SOT-323封装的NPN双极型晶体管

Infineon Technologies AG 的 BC 848 系列由封装在 SOT-23 或 SOT-323 封装中的 NPN 双极型晶体管组成。这些晶体管广泛应用于各种低功耗应用中,如开关电路、放大器和电机控制系统。如果您正在设计需要高速切换和低功耗的应用,由于其快速的开启和关闭时间,这些晶体管可以是一个不错的选择。

值得注意的一点是,SOT-323 封装相比 SOT-23 提供了更好的热传导性能,因此更适合高功率应用或对散热管理要求更严格的场合。当工程师需要在紧凑的空间受限环境中获得可靠性能并保持良好的热性能时,往往会选用这种封装。

另一个实际应用是在 LED 驱动器中,BC 848 可以高效地处理驱动 LED 所需的切换,同时不会产生显著的热量。这使得它们特别适用于便携式电子产品和其他电池供电设备,在这些设备中最大限度地减少功率损耗至关重要。

系列图片(8 张)

常见问答

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03

BC 848 - 型号列表

12 个型号

零件号别名

直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce

其他名称

工作温度

标准包装数量

集电极截止电流(最大)

宽度

高度

长度

封装形式

Vce饱和电压(最大)

工厂包装数量

RoHS

最大功率

最大频率

供电电压

最小输入电压

增益带宽积

最大功耗

Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic

集电极电流(Ic)(最大)

冷却的封装

供应商器件封装

系列

包装数量

尺寸/外形

制造商零件编号库存价格产品类别晶体管类型供电电压Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic集电极电流(Ic)(最大)直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce安装类型标准包装数量RoHS最大功率过渡频率包装方式封装形式供应商器件封装集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic集电极截止电流(最大)配置工作温度零件号别名增益带宽积安装样式系列工厂包装数量最大功耗平均正向功率制造商全称宽度高度长度Vce饱和电压(最大)其他名称元件数量最大频率最小输入电压冷却的封装位数阳极-阴极电压(Vak)(最大)引脚数包装数量尺寸/外形抗辐射加固频率额定功率集电极-发射极击穿电压(最大)类型电源电压(最大)卡标准
BC 848C E6327
2

Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23 Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

infineon technologies

322351: ¥0.952Transistors Bipolar - BJTNPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA420@2mA@5VSurface Mount3,000Lead free / RoHS Compliant330mW250MHzTape & Reel (TR)3SOT-23PG-SOT23-330 V0.1 ASingle-65 to 150 °CBC848CE6327HTSA1 SP000010552250 MHzSMD/SMTBC8483000330 mW330 mWInfineon Technologies1.3 mm1 mm2.9 mm-BC 848C E6327CT1250(Typ) MHz30 VSOT-233----No250 MHz0.33 W6 VNPN--
BC 848B E6327
3

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23 Infineon , NPN 晶体管, 0.1 A, Vce=30 V, HFE:110, 3针 SOT-23封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Infineon Technologies

373911: ¥2.85Transistors Bipolar - BJTNPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA200 @ 2mA, 5VSurface Mount3,000Lead free / RoHS Compliant330mW250MHzTape & Reel (TR)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3PG-SOT23-330 V0.1 ASingle+ 150 CBC848BE6327HTSA1 SP000010561250 MHz (Typ)SMD/SMTBC8483000330 mW330 mWInfineon Technologies1.3mm0.9mm2.9mm200 mVBC 848B E6327CT1----6 V3SOT-232.9 x 1.3 x 0.9mm-------
BC 848BW H6327
2

Transistors Bipolar - BJT AF TRANSISTOR TRANS AF NPN 30V 100MA SOT323 Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR

Infineon Technologies

29301: ¥1.428Transistors Bipolar - BJTNPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA200 @ 2mA, 5VSurface Mount3,000RoHS Compliant250mW250MHzTape & Reel (TR)SC-70, SOT-323PG-SOT323-330 V200 mASingle- 65 CBC848BWH6327XTSA1 SP000747410250 MHzSMD/SMTBC8483000-330 mWInfineon Technologies---90 mV-----------------
BC 848CW H6327

Transistors Bipolar - BJT AF TRANSISTOR TRANS AF NPN 30V 100MA SOT323 Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR

Infineon Technologies

27551: ¥1.428Transistors Bipolar - BJTNPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA420 @ 2mA, 5VSurface Mount3,000RoHS Compliant250mW250MHzTape & Reel (TR)SC-70, SOT-323PG-SOT323-330 V200 mASingle+ 150 CBC848CWH6327XTSA1 SP000747412250 MHzSMD/SMTBC8483000-330 mWInfineon Technologies---200 mV-----------------
BC 848BW E6327

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-323

Infineon Technologies

0-NPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA200 @ 2mA, 5VSurface Mount3,000Lead free / RoHS Compliant250mW250MHzTape & Reel (TR)SC-70, SOT-323PG-SOT323-3---------------------------------
BC 848CW E6327

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-323

Infineon Technologies

0-NPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA420 @ 2mA, 5VSurface Mount3,000Lead free / RoHS Compliant250mW250MHzTape & Reel (TR)SC-70, SOT-323PG-SOT323-3---------------------------------
BC 848B E6433
2

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23 Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Infineon Technologies

300001: ¥0.136Transistors Bipolar - BJTNPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA200 @ 2mA, 5VSurface Mount10,000Lead free / RoHS Compliant330mW250MHzTape & Reel (TR)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3PG-SOT23-330 V0.1 ASingle- 65 CBC848BE6433HTMA1 SP000010581250 MHz (Typ)SMD/SMTBC84810000330 mW330 mWInfineon Technologies1.3 mm1 mm2.9 mm600 mVBC 848B E6433CT----------------
BC 848A E6327
2

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23

Infineon Technologies

1048000: ¥0.102Transistors Bipolar - BJTNPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA110 @ 2mA, 5VSurface Mount3,000RoHS Compliant330mW250MHzTape & Reel (TR)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3PG-SOT23-330 V0.1 ASingle- 65 CBC848AE6327HTSA1 SP000010568250 MHz (Typ)SMD/SMTBC8483000330 mW-----------------------
BC 848BL3 E6327
2

Transistors Bipolar - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS NPN TRANSISTOR SOT 23

Infineon Technologies

1015000: ¥0.4012Transistors Bipolar - BJTNPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA200 @ 2mA, 5VSurface Mount30,000RoHS Compliant250mW250MHzTape & Reel (TR)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3PG-SOT23-330 V0.1 ASingle- 65 CBC848BL3E6327XTMA1 SP000013554250 MHz (Typ)SMD/SMTBC848BL3-250 mW-----------------------
BC 848C E6433
2

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23 Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Infineon Technologies

454591: ¥2.652Transistors Bipolar - BJTNPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA420 @ 2mA, 5VSurface Mount10,000Lead free / RoHS Compliant330mW250MHzTape & Reel (TR)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3PG-SOT23-330 V0.1 ASingle- 65 CBC848CE6433HTMA1 SP000010582250 MHz (Typ)SMD/SMTBC84810000330 mW330 mWInfineon Technologies1.3 mm1 mm2.9 mm600 mVBC 848C E6433CT----------------
BC 848C B6327
2

TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23

Infineon Technologies

0-NPN30V600mV @ 5mA, 100mA100mA420 @ 2mA, 5VSurface Mount30,000Lead free / RoHS Compliant330mW250MHzTape & Reel (TR)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3PG-SOT23-3---------------------------------
BC 848CW
2

Transistor NPN AF input 30V 100mA SOT323 Infineon , NPN 晶体管, 0.1 A, Vce=30 V, HFE:420, 250 MHz, 3针 SOT-323封装

Infineon

7003000: ¥0.153-NPN30 V900 mV0.1 A420Surface Mount-------30 V100 mASingle+150 °C-----250 mW--1.25mm0.8mm2mm--1250 MHz600 mVSOT-32336 V3SOT-3232 x 1.25 x 0.8mm-----6 VAF Transistor
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