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双N沟道30V MOSFET(DFN封装)

Alpha和Omega半导体有限公司生产的AON5802是一款双N沟道MOSFET,适用于各种电源管理应用。该系列产品中的每个器件均具有30V的额定值,使其适用于广泛的电压需求。如果您正在处理涉及开关电路的项目或需要对电源传输进行精确控制,这些MOSFET可能是很好的选择。

值得注意的是,它们采用紧凑的DFN(切片倒装芯片无引脚)封装形式。这种外形便于在空间受限的设计中轻松集成而不影响性能。当工程师需要在小尺寸下实现可靠的开关元件时,通常会选择这种封装,例如在便携式电子产品、LED驱动器或电源供应器中。

另一个实用的优势是其低Rds(on),具体范围通常在60mΩ至70mΩ之间,取决于具体的封装类型。这种低电阻有助于在运行过程中最大限度地减少功率损耗,这对于高功率应用中的效率至关重要。总体而言,AON5802系列提供了一种性能与尺寸之间的平衡组合,使它们成为希望优化设计的工程师的理想选择。

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常见问答

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AON5802 MOSFET - 型号列表

5 个型号

FET类型

最大功率

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs

输入电容(Ciss)(最大)@ Vds

制造商零件编号库存价格产品类别标准包装数量FET类型FET特性最大功率Vgs(th)(最大)@ Id导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs漏源电压(Vdss)输入电容(Ciss)(最大)@ Vds连续漏极电流(Id)@ 25°C包装方式安装类型封装形式供应商器件封装其他名称RoHS最大栅源电压 Vgs
AON5802A

MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc

0-5,0002 N-Channel (Dual)Logic Level Gate1.7W1.5V @ 250µA20 mOhm @ 7.2A, 4.5V10.7nC @ 4.5V30V1115pF @ 15V7.2ATape & Reel (TR)Surface Mount6-SMD, Flat Lead Exposed Pad6-DFN-EP (2x5)785-1134-2Lead free / RoHS Compliant-
AON5802B
2

MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc

50005000: ¥1.3886-5,0002 N-Channel (Dual) Common DrainLogic Level Gate1.6W1.5V @ 250µA19 mOhm @ 7A, 4.5V24nC @ 10V30V1150pF @ 15V7.2ATape & Reel (TR)Surface Mount6-SMD, Flat Lead Exposed Pad6-DFN-EP (2x5)--1.5V @ 250µA
AON5802BL

30V,7.2A,共漏极N沟道MOSFET

AOS

4901: ¥0.66------------------
AON5802ALS

MOSFET N-CH DUAL DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

0------------------
AON5802B_101

MOSFET N-CH DUAL DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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